韓半導體大廠海力士(Hynix) 21日上午發布2011年第2季財報。海力士第2季營收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營業利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與 2010年同期相比營收減少16%、營業利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖然營收減少1%，但營業利益則增加了38%。
關鍵字：
海力士 DRAM
海力士半導體和美光律師在法院上表示，Rambus在內存芯片上伎倆骯臟，自己在技術上失敗卻怪罪于競爭對手。本周二，海力士公開一份聲明，代表律師肯尼斯·尼斯利(Kenneth Nissly)說Rambus RDRAM內存技術在設計和技術上存在問題，盡管在早期得到了英特爾的支持，卻未能廣泛被采納。
關鍵字：
海力士 RDRAM
韓國半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性存儲器芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動
關鍵字：
海力士 26納米
南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性內存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
關鍵字：
海力士 NAND
據韓國電子新聞報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發生氣體外泄事故。19日晚間約10點50分，在維修DRAM半導體產線蒸鍍設備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當，使設備內殘留的液化氣體外泄。
關鍵字：
海力士 蒸鍍設備
據國外媒體報道，全球第二大電腦內存芯片生產商海力士周四發布了2011年第一季度財報。財報顯示，今年第一季度海力士實現凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個人電腦需求低迷導致芯片價格下滑影響。
關鍵字：
海力士 內存芯片
2010年韓國半導體、顯示器設備業者中，有10間企業年度銷售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國僅2間企業年度銷售逾2,000億韓元，過去韓國半導體及顯示器設備國產業者積極推動事業多元化及擴大出口，形成規模經濟以建構可永續發展的基礎，目前正快速成長中。根據韓國電子公示系統(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關業者表示，2010年銷售突破2,000億韓元的設備業者包含Semes、Jusung Engineer
關鍵字：
海力士 電子制造設備
2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權銀行團接手并進行債務重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計算機內存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負5.9兆韓元(約54.46億美元)債務，該公司現任執行長權五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴產以及研發新技術。
關鍵字：
海力士 內存芯片 NAND
海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現反彈。
關鍵字：
海力士 DRAM
三星電子搶先行動整整三個月之后，另一家半導體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內存顆粒、內存條開發完畢。海力士已經開發出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關標準規范。
關鍵字：
海力士 內存
海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現反彈。
關鍵字：
海力士 DRAM
全球第二大計算機內存芯片廠商海力士半導體周三稱，它已經開發出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內存芯片。
海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術)的新技術，海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內存芯片。TSV技術與以前的技術相比具有速度更快和耗電量更少的優勢。
關鍵字：
海力士 DRAM
韓國海力士半導體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學的實驗室承擔，SEMATECH提供組織和協調。海力士半導體研發部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實現高密度、小型化封裝的一個方向、而且還有可能降低制造成本。
關鍵字：
海力士 半導體
據路透(Reuters)報導，全球第2大存儲器芯片廠海力士(Hynix)發布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進行資本投資。
據海力士計劃，該筆資金將用于擴張既有廠房、設備升級與研究開發工作。該公司公開說明指出，本次投資規畫旨在因應市場需求與成本競爭壓力加劇。
關鍵字：
海力士 半導體
據國外媒體報道，韓國半導體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴大和升級現有工廠，以及開展研發工作。
關鍵字：
海力士 半導體
海力士介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產業有限公司的名字創立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業務，同年他們開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
200 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473