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        SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產線已超兩成用于 HBM 內存

        作者: 時間:2024-05-14 來源:IT之家 收藏

        IT之家 5 月 14 日消息,據韓媒 Hankyung 報道,兩大存儲巨頭 SK 電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示,整體 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202405/458725.htm

        相較于通用 ,HBM 內存坐擁更高單價,不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。

        正是在這種“產能占用”的背景下,電子代表預計,不僅 HBM 內存,通用 (如標準 DDR5)的價格年內也不會下降

        SK 再次確認,根據截至今年底的生產能力,目前該企業已經完成了對 2025 年 HBM 內存產能的分配;

        電子方面則稱自身 HBM 訂單情況和對手大致相同,也已售罄,并預估明年不會出現 HBM 內存供過于求的情況。

        三星電子代表確認該公司 HBM4 內存計劃于明年完成開發,2026 年實現量產,并表示三星電子計劃在 HBM4 內存中開始應用混合鍵合。

        IT之家稍早前的報道中提到,SK 認為其在 HBM4 上就應用混合鍵合的可能性不大,持有同三星電子不一致的觀點。

        此外,兩家企業均對企業級固態硬盤市場持樂觀態度,三星電子方面的代表認為相關需求的增長將是長期趨勢。




        關鍵詞: 海力士 三星 DRAM

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