東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。
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東芝 NAND
NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結構分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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結構 分析 系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND
上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設有一家合資芯片制造公司。
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東芝 NAND
據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應了在上個月日本發(fā)生嚴重的地震中斷了供應鏈之后其它存儲芯片價格的情況。
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NAND 閃存芯片
據(jù)華爾街日報(WSJ)報導指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機和平板計算機里的儲存裝置可以進一步縮小。
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Micron NAND
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進NAND Flash領域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對雙方合作關系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領域的質(zhì)疑，預計雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)。
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英特爾 NAND
Intel與鎂光公司本周四將對NAND業(yè)務合作事宜作重要宣布，不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析：“我認為他們這次可能會宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設立的閃存芯片廠項目上的合作。這間工廠目前正計劃開始投產(chǎn)25nm制 程NAND閃存芯片，并隨后轉向20nm制程技術。”
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Intel NAND
2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權銀行團接手并進行債務重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計算機內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負5.9兆韓元(約54.46億美元)債務，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴產(chǎn)以及研發(fā)新技術。
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海力士 內(nèi)存芯片 NAND
摘要：先對ONFI標準進行了介紹，然后再設計了一種支持ONFI2．1標準源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機的設計，接口的設計等。對設計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進行了說明，并提出了一種解決方
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Flash 控制器 設計 NAND 模式 ONFI 同步 支持
市場研究機構IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導體銷售額的預測，較原本預期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導體供應短缺，刺激存儲芯片價格上漲。
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半導體 DRAM NAND
《左手猶太人右手溫州人》書里這樣描述溫州人，“天生商人”。日本地震后，溫州人又發(fā)現(xiàn)了商機。溫州人白先生(化名)說：“現(xiàn)在好多人都在囤電子配件和鋼材等商品，因為大家都在猜測過段時間日本的進口稅率會下調(diào)。”
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電子配件 NAND
韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔心日后供給吃緊造成漲價問題。
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Hynix DRAM NAND Flash
硅晶圓斷料陰影籠罩半導體產(chǎn)業(yè)，原本要展翅高飛的平板計算機、智能型手機等應用，現(xiàn)在都要看NAND Flash芯片后續(xù)供應情況，存儲器業(yè)者指出，雖然3、4月供貨沒問題，但5月之后若因硅晶圓不足而造成供給吃緊，蘋果(Apple)等一線大廠會是優(yōu)先供貨對象，iPad-like陣營恐面臨斷貨危機。
盡管NAND Flash大廠東芝(Toshiba)12寸晶圓廠不在日本強震震央，但上游材料如硅晶圓、光阻劑、化學研磨液、鈀材、氮氣等，紛因地震而面臨供應商停工窘境，不僅業(yè)者始料未及，亦讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)
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硅晶圓 NAND
據(jù)經(jīng)濟之聲報道，蘋果公司這幾天股價連續(xù)大幅下滑，市值損失接近220億美元。周五的股市交易中，蘋果股價再一次小幅下挫。分析人士指出，在很多外在不確定因素的影響下，股價短期震蕩在所難免，日本地震對蘋果股價也有一定的影響。
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蘋果 NAND
針對日本強震對電子供應鏈的影響，美銀美林證券全球半導體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示，由于BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單，而兩家占BT樹脂供給量的九成，使得基板供給影響比想象嚴重，目前預估這次震災對NAND、LCD面板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%，預期這次電子供應鏈修復期至少4-6個月。
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NAND 基板
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