海力士看好存儲器價格反彈

　　韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產業后市，發表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應生產，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔心日后供給吃緊造成漲價問題。

　　日本地震過后，各家DRAM廠都紛紛調高售價，市場買盤強度中等，并未出現一窩蜂搶貨情況，原本供過于求嚴重的DRAM產業，各業者都認為DRAM售價會逐漸觸底反彈，美光(Micron)執行長Steve Appleton日前也出面表示，看好3~5月的DRAM報價將落底反彈，而30日海力士社長權五哲也呼應表示，存儲器價格會逐漸落底反彈。

　　硅晶圓方面，海力士認為目前庫存還維持約45天，短期內不會受到影響；臺廠認為，目前各家庫存都維持1~2個月水平，短期內尚不成問題，但中長期來看，沒有一家業者敢掛保證長期確定會供貨無慮，因為2大硅晶圓廠都還為宣布完全復工，因此真正的供貨壓力會在5月之后浮現。

　　臺系DRAM廠中，南亞科和華亞科主要依賴臺塑集團和Sumco合資的臺勝科供應硅晶圓，供貨上較為安全，而在爾必達(Elpida)陣營中，主要依賴這次受日本強震影響嚴重的信越半導體，加上是采用高階制程用的EPI Wafer，目前也找其它硅晶圓供應商支持。

　　雖然受到日本地震干擾，但三星電子(Samsung Electronics)和海力士在制程微縮進度上都持續往前，三星2011年下半30納米制程會占超過50%比重，海力士也表示2011年底30納米制程比重會提升至40%，2家公司也將開始持續研發20納米制程，預計20納米制程會在2012年問世量產。

　　臺廠在制程微縮進度上，相較三星等大廠會晚一些，2011年中開始，會陸續導入30納米制程，其中南亞科和華亞科會和美光(Micron)共同轉進37納米制程，爾必達和瑞晶2011年也會陸續到入30納米制程，進一步驅動成本下降。

　　業者認為，這次日本強震后，雖然各廠都受到硅晶圓和化學材料供應不順影響，但相較之下，其實韓系存儲器廠受到影響較小，臺灣則因為與日系業者聯系度較高，因此多少會受影響；日前海力士即表示，可趁此機會逐漸提升全球市存儲器的市占率。