海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈

　　韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長(zhǎng)線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場(chǎng)買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問題。

　　日本地震過后，各家DRAM廠都紛紛調(diào)高售價(jià)，市場(chǎng)買盤強(qiáng)度中等，并未出現(xiàn)一窩蜂搶貨情況，原本供過于求嚴(yán)重的DRAM產(chǎn)業(yè)，各業(yè)者都認(rèn)為DRAM售價(jià)會(huì)逐漸觸底反彈，美光(Micron)執(zhí)行長(zhǎng)Steve Appleton日前也出面表示，看好3~5月的DRAM報(bào)價(jià)將落底反彈，而30日海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲也呼應(yīng)表示，存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)逐漸落底反彈。

　　硅晶圓方面，海力士認(rèn)為目前庫存還維持約45天，短期內(nèi)不會(huì)受到影響；臺(tái)廠認(rèn)為，目前各家?guī)齑娑季S持1~2個(gè)月水平，短期內(nèi)尚不成問題，但中長(zhǎng)期來看，沒有一家業(yè)者敢掛保證長(zhǎng)期確定會(huì)供貨無慮，因?yàn)?大硅晶圓廠都還為宣布完全復(fù)工，因此真正的供貨壓力會(huì)在5月之后浮現(xiàn)。

　　臺(tái)系DRAM廠中，南亞科和華亞科主要依賴臺(tái)塑集團(tuán)和Sumco合資的臺(tái)勝科供應(yīng)硅晶圓，供貨上較為安全，而在爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)中，主要依賴這次受日本強(qiáng)震影響嚴(yán)重的信越半導(dǎo)體，加上是采用高階制程用的EPI Wafer，目前也找其它硅晶圓供應(yīng)商支持。

　　雖然受到日本地震干擾，但三星電子(Samsung Electronics)和海力士在制程微縮進(jìn)度上都持續(xù)往前，三星2011年下半30納米制程會(huì)占超過50%比重，海力士也表示2011年底30納米制程比重會(huì)提升至40%，2家公司也將開始持續(xù)研發(fā)20納米制程，預(yù)計(jì)20納米制程會(huì)在2012年問世量產(chǎn)。

　　臺(tái)廠在制程微縮進(jìn)度上，相較三星等大廠會(huì)晚一些，2011年中開始，會(huì)陸續(xù)導(dǎo)入30納米制程，其中南亞科和華亞科會(huì)和美光(Micron)共同轉(zhuǎn)進(jìn)37納米制程，爾必達(dá)和瑞晶2011年也會(huì)陸續(xù)到入30納米制程，進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)成本下降。

　　業(yè)者認(rèn)為，這次日本強(qiáng)震后，雖然各廠都受到硅晶圓和化學(xué)材料供應(yīng)不順影響，但相較之下，其實(shí)韓系存儲(chǔ)器廠受到影響較小，臺(tái)灣則因?yàn)榕c日系業(yè)者聯(lián)系度較高，因此多少會(huì)受影響；日前海力士即表示，可趁此機(jī)會(huì)逐漸提升全球市存儲(chǔ)器的市占率。