- 如今所有東西都存儲在云端,但云究竟在哪里?答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求,正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出,[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間,數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本,還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力,亟需大規模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加,行業更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
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SiC MOSFET AI數據中心 電源轉換能效
- 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產利用制造工藝、規格和設備的密集工程來實現商業質量和成本效益。必要性與發明寬禁帶半導體正在改變電力電子領域的游戲規則,使系統級效率超越硅器件的實際限制,并帶來額外的技術特定優勢。在碳化硅 (SiC) 的情況下,導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關系優于硅,從而簡化了系統設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性,SiC 的孕育使二極管領先于 MOSFET 進入市場。現在,隨著技術進步收緊工藝控制、提高良率并
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SiC
- 安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢,SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵(cascode)結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇,將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢,特別是在給定芯片面積下的低導通電阻(稱為RDS.A)。為了實現最低的RDS.A,需要權衡的一點是其常開特性,這意味著如果沒有柵源電壓,或者JFET的柵
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cascode FET SiC
- 3月25日消息,中國人工智能初創公司DeepSeek悄然發布了一款新的大語言模型,在人工智能行業引發震動。這不僅因為其強大的能力,還因為其獨特的發布方式。這個大小為641GB的模型名為DeepSeek-V3-0324,于周一悄然出現在人工智能資源庫Hugging Face上,幾乎沒有任何官方公告,延續了該公司低調卻影響深遠的發布風格。此次發布尤其值得關注的是,該模型采用MIT許可(允許免費商用),并且有報道稱它可以直接在消費者級“硬件”上運行,尤其是配備M3 Ultra芯片的蘋果Mac Studio。人工
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新版 DeepSeek V3 人工智能 Hugging Face M3 Ultra AI
- 3 月 24 日消息,據韓聯社報道,小米韓國分公司今日表示,旗下旗艦智能手機、平板電腦和智能手表 25 日將在韓國正式上市,官方直營零售體驗店“小米之家”上半年將登陸首爾。報道稱,小米韓國此次將推出旗艦智能手機 Xiaomi 15 Ultra、平板電腦 Xiaomi Pad 7、智能手表 Xiaomi Watch S4。Xiaomi 15 Ultra 將提供 3 種顏色,16GB+512GB 專業影像套裝售價為 169.9 萬韓元(注:現匯率約合 8412 元人民幣)。Xiaomi Pad 7 將提供 3
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小米 15 Ultra 手機 在韓上市 實體店 登陸首爾
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色,采用創新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術在封裝環節的便捷優勢以及通孔技術的高效散熱能力,確保優異的散熱效果。此次新品發布精準滿足了眾多高功率(工業)應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求,該系列器件借助頂部散熱技術的優勢,得以實現卓越的熱性
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Nexperia SiC MOSFET
- 當地時間周二(3月18日),英偉達CEO黃仁勛在GTC主題演講中推出了新產品“Blackwell Ultra”,并預告了公司的下一代芯片“Rubin”。黃仁勛稱,去年幾乎全世界都參與到了建設人工智能(AI)數據中心的浪潮之中,“計算需求——即AI縮放定律——更具彈性,速度也正在超快地增長。”“AI已實現巨大飛躍——推理和代理式AI需要數量級更高的計算性能。我們為這一刻設計了Blackwell Ultra,這是一個功能強大的單一平臺,能夠輕松高效地完成AI的預訓練、后訓練和推理任務。”據英偉達官網介紹,Bl
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英偉達 Blackwell Ultra 黃仁勛
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結構上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件,沒有內建電勢,所以在低電流區域,SiC MOSFET的通態壓降明顯低于Si IGBT的通態壓降;在接近額定電流時,SiC MOSFET的通態壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用,使用SiC
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三菱電機 SiC MOSFET
- AI 和 HPC 數據中心中的計算節點越來越需要擴展到芯片或封裝之外,以獲取額外的資源來處理不斷增長的工作負載。他們可能會征用機架中的其他節點(縱向擴展)或使用其他機架中的資源(橫向擴展)。問題是目前沒有開放的 Scale-up 協議。到目前為止,這項任務一直由專有協議主導,因為大部分最高性能的計算都是在大型數據中心使用定制芯片和架構完成的。雖然以太網在橫向擴展方面很受歡迎,但對于 AI 和高性能計算工作負載來說,它并不理想。但兩種新協議 UALink 和 Ultra Ethernet 旨在解決當前縱向擴
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UALink Ultra Ethernet AI 數據中心
- 3月14日消息,不僅是手機產品,小米在汽車領域也實現了與蘋果生態的深度融合。日前,小米汽車發文稱,小米SU7 Ultra全面支持蘋果生態產品,如iPhone、iPad等,其搭載的小米澎湃智能座艙有非常豐富的生態拓展能力,對蘋果生態用戶非常友好。小米汽車還提到,目前有超過50%的小米汽車車主都是蘋果用戶。據了解,小米SU7 Ultra支持無線蘋果CarPlay互聯,車主可享受iPhone中的音樂、導航等功能。在CarPlay連接狀態下,可以正常使用小愛同學,同時CarPlay也支持Siri語音喚醒。同時,小
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小米汽車 蘋果 SU7 Ultra
- 3 月 10 日消息,彭博社馬克?古爾曼昨日(3 月 9 日)發布博文,認為蘋果公司未來不會再推出 M4 Ultra 芯片,并透露了第 3 個原因。蘋果公司于 3 月 5 日發布了 2025 款 Mac Studio,提供了 M4 Max 與 M3 Ultra 兩種配置選項,這不免讓人疑惑,蘋果為何選擇 M3 Ultra 而非 M4 Ultra?M3
Ultra 芯片配備高達 32 核的 CPU、80 核的 GPU、32 核的神經網絡引擎,并支持最高 512GB 的統一內存。蘋果表示,M3
Ult
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蘋果 M4 Ultra 芯片
- 1987年,武漢大學計算機系的教室里,那個赤腳在寒冬機房編程的少年不會想到,三十八年后,他將在汽車工業史上刻下濃墨重彩的一筆。雷軍用兩年修完四年學分的狠勁,似乎早已預示著這個湖北小鎮青年將用"極致效率"改寫商業規則。從金山軟件CEO到天使投資人,從智能手機到智能汽車,這位永遠穿著牛仔褲的科技狂人,始終在用互聯網思維解構傳統行業。??2010年北京四月的一鍋小米粥,釀成了中國手機行業的颶風,一具摧毀了在我國根深蒂固的“山寨機”市場;2021年宣布造車的孤注一擲,則讓國
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小米汽車 新能源汽車 小米su7 ultra
- SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點,可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用,本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD(肖特基勢壘二極管)是一種利用金屬和半導體接觸,在接觸處形成勢壘,具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下,而耐壓在600V以上的SiC SBD產品已廣泛產品化。SiC SBD的某些產品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比,因此為了提高耐壓,必須增加器件的厚度。而
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三菱電機 SiC SBD
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,最新推出一款可用于驅動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中,當下橋臂[2]關閉時,米勒電流[1]可能會產生柵極電壓,進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有,在柵極關閉時,對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si
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東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
- 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯難題大揭秘,這些挑戰讓工程師 “頭禿”!http://www.104case.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯的五大難題,破解方法終于來了!http://www.104case.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯設計的挑戰,本文將介紹演示和測試結果。演
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SiC JFET 并聯設計
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