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意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
- 關鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
- 關鍵字： 東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET 驅動逆變器
瑞薩攜手英特爾，為英特爾全新酷睿Ultra 200V系列處理器打造先進電源管理解決方案
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布與英特爾攜手，推出一款電源管理解決方案，為搭載英特爾?全新酷睿? Ultra 200V系列處理器的筆記本電腦實現最佳的電池效率。瑞薩同英特爾緊密合作，開發出創新的定制化電源管理芯片（PMIC），全面滿足最新一代英特爾處理器的電源管理需求。這款先進且高度集成的PMIC，配合預穩壓器和電池充電器，面向采用全新英特爾處理器的個人電腦提供一站式解決方案。這三款全新器件協同工作，為客戶端筆記本電腦，特別是運行高功耗人工智能（AI）應用的筆記本電腦，提供了量身定制的高效電源解決
- 關鍵字： 瑞薩 英特爾 Ultra 200V 電源管理
英偉達將Blackwell Ultra產品更名為B300系列，預計2025年將推動CoWoS-L增長
- 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，NVIDIA（英偉達）近期將其所有Blackwell Ultra產品更名為B300系列，預估明年將策略性主推B300和GB300等采用CoWoS-L的GPU產品，這將提升對先進封裝技術的需求量。英偉達將原B200 Ultra更名為B300、GB200 Ultra更名為GB300，B200A Ultra和GB200A Ultra則分別調整為B300A和GB300A。B300系列產品按原規劃將于2025年第二季至第三季間開始出貨。至于B200和GB200，預計將在
- 關鍵字： 英偉達 Blackwell Ultra B300 CoWoS-L TrendForce
業界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
- 關鍵字： SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態抑制二極管 Littelfuse
全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
- 關鍵字： SiC
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