據日本媒體《日刊工業新聞》報道,據報道,總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出,這一發展促使日本公司(包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協議的瑞薩電子以及 Rohm)重新評估其戰略計劃。正如日刊工業新聞所說,瑞薩電子可能會受到影響,因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協議。報告指出,如果 Wolfspeed 根據美國破產法第 11 章申請破產保護,瑞薩電子可能
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Wolfspeed 破產 瑞薩電子 SiC
功率半導體研究實驗室 Silicon Austria Labs (SAL) 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證,該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實驗室表示,這項技術可以提高效率,同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 (SiC) 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
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電流傳感器 EV SiC 功率模塊
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體
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東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
中國功率芯片開發商泰克天潤(Global Power Technology) 在碳化硅 (SiC) 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示,2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發展為標志,以匹配 Global Power Technology的專利數量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人,幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個
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東芝 SiC 專利申請 泰科天潤
在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后,Wolfspeed(歐勝)的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車用碳化硅行業的領導廠商,Wolfspeed近年來投入數十億美元在美國建立SiC制造能力,可惜備受汽車經濟低迷和關稅前景的打擊陷入持續虧損中,現在公司轉向提供AI數據中心電源以促進增長,不過該公司正在尋求第11章法規的債權保護。“作為我們貸方談判的一部分,我們可能會選擇在法庭內或庭外尋求選擇,”兩周前接任首席執行官的羅伯特·費爾 (Robert Feurle) 說。據報道,資產管理公
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CHIPS Wolfspeed SiC
在新能源汽車技術的演進歷程中,碳化硅(SiC)技術已成為推動行業發展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料,SiC 憑借其卓越的性能優勢,已深度融入新能源汽車的核心系統,開啟了新能源汽車性能提升與技術創新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款,從純電動到混合動力,SiC 技術的應用范圍不斷拓展,正以前所未有的速度實現批量上車,重塑新能源汽車的技術格局與市場競爭態勢。碳化硅實現多價格區間車型覆蓋SiC 技術已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素,如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區間的車型
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SiC
TrendForce最新研究,2024年汽車、工業需求走弱,SiC基板出貨量成長放緩,與此同時,市場競爭加劇,產品價格大幅下跌,導致2024年全球N-type(導電型)SiC基板產業營收年減9%,為10.4億美元。進入2025年,即便SiC基板市場持續面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力,然而,長期成長趨勢依舊不變,隨著成本逐漸下降、半導體元件技術不斷提升,未來SiC應用將更為廣泛,特別是在工業領域的多樣化。 同時,市場競爭激烈的環境下,加速企業整合,重新塑造產業發展格局。TrendForce分析各供應商營收
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SiC 襯底 TrendForce
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺,旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
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羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率,而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ (750 V BDss) 和 2.3 mΩ (1200 V BDss) 的超低 R DS(ON),可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路
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英飛凌 SiC JFET 固態配電
周二,英特爾通知各方,它正式將其用于臺式機的盒裝 Core Ultra 7 200 系列處理器的建議零售價 (SRP) 下調了約 100 美元。CPU 開發人員降低其產品的價格是很常見的,但像 Intel 這樣的公司正式確認此類舉措并不常見。但是,有一個小問題:由于我們正在處理 SRP,因此實際價格可能會有所不同。立即生效,英特爾的酷睿 Ultra 7 處理器 265K 的建議零售價為 299 美元(之前為 399 美元),而酷睿 Ultra 7 型號 265KF 的建議零售價為 284 美元(之前為 3
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英特爾 Core Ultra 7 臺式機 CPU
ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業界頂級水平」,這使得安裝面積顯著減少。
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SiC 功率器件 ROHM
4月22日下午,格力電器召開2025年第一次臨時股東大會,相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產總部辦公樓,本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據悉,該工廠自2024年投產以來,其碳化硅功率芯片在家用空調中的裝機量已經突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優勢,能夠顯著提升空調的能效。搭載SiC芯片后,空調的電能轉換效率得到優化,制冷制熱效果增強,實現能耗降低,同時可以提升產品性能、降低能耗,增強格力空調的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
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格力 家用空調 SiC
近日,清純半導體和VBsemi(微碧半導體)分別推出了其第三代碳化硅(SiC)MOSFET產品平臺,標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日,清純半導體官微宣布,推出第3代碳化硅(SiC)MOSFET技術平臺,該平臺首款主驅芯片(型號:S3M008120BK)的常溫導通電阻低至8mΩ,比導通電阻系數Rsp達到2.1
mΩ·cm2,處于國際領先水平。source:清純半導體(圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
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清純半導體 微碧半導體 第3代 SiC MOSFET
碳化硅 (SiC) 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器,將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是,由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關頻率,因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向 (EC) 冷卻風扇,這些風扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓練和推理,并在此過程中產生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 (IPM),與 IGBT 相比,為這些冷卻風扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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SiC 數據中心 冷卻風扇 高密度電源 安森美
超強性能,精巧尺寸,適應各種空間限制重點摘要:●? ?三合一超強架構:搭載Intel??Core??Ultra處理器,最高14核CPU+8核Xe GPU+集成NPU,AI算力與能效雙優●? ?軍工級緊湊設計:95mm×70mm迷你尺寸,板載64GB LPDDR5x內存(7467MT/s),支持-40°C至85°C寬溫運行(特定型號)●? ?豐富工業級接口:集成16通道PCIe、2個SATA、2個2.5GbE網口及DDI/USB
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凌華智能 Intel Core Ultra COM-HPC Mini
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