基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1 引言
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芯片 功能 應用 驅動 MOSFET UCC27321 高速 基于
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產品系列，可應對工業、計算和電信系統對更高效率和功率密度的設計挑戰。
FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無與倫比的效率和結溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導損耗更比其它外形尺寸相同
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Fairchild MOSFET 電源
飛兆半導體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會上，展示其最新的功率技術和移動技術。時間及地點分別是3月4至5日于深圳會展中心2號展館2K19展臺，以及3月15至16日于上海世貿商城四樓8H01展臺。
智能移動解決方案：
飛兆半導體將展示其豐富的模擬技術產品系列，以及相關的定制解決方案和系統級專有技術，這些產品及方案在解決移動領域之設計和應用難題方面發揮不可或缺的重要作用。例如，飛兆半導體的業界最小的USB附件開關FSA800將所有主
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飛兆 功率 智能移動 MOSFET
中心議題：
馬達的結構
提升馬達工作的效率
解決方案：
正弦脈沖調制控制方式
智能功率模塊
近些年來，家用電器對節能的要求變得越來越強烈。這是很顯然的，僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達主要在低速運轉，就有非常大的節能潛力，通過在低速驅動器中簡單改進馬達的驅動效率就能實現。
同樣，據估計工業用電的65%被電驅動馬達所消耗，毫無疑問，商家正逐漸意識到節能將成為改善收益率和競爭能力的關鍵。在電驅動馬達中降低能量消耗有兩種主要的方式：改善
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工業電子 馬達 MOSFET
英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規范的TDA21220 DrMOS。
通過大幅降低三個關鍵的能效優值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優點，已經成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅動器的出現又為優化SMPS控制器帶來了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的
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技術 薈萃 驅動 MOSFET 功率 開關電源 電源
CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表現出色的高溫性能。在攝氏 225
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CISSOID MOSFET 晶體管
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業照明鎮流器。
這些新的500 V和60
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安森美 MOSFET 功率開關
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。
LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優化設計實現最佳熱/電性能、成本優勢和可靠性。LFPAK是汽車行業標準AEC-Q101唯一認可的
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NXP 晶體管 MOSFET
1對于理想開關的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調變 (PWM) 應用中的電氣開關，例如穩壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關。作為負載開關使用時，由于切換時間通常較長，因此裝置的成本、尺寸及導通電阻
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NexFETTM MOSFET
在電源系統中，MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。 UC
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應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。
安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關鍵的規范特性包括：
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安森美 MOSFET
電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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電路 耳機 功放 JFET-MOSFET 以及 麥克風 電腦
Maxim推出用于高壓系統的高邊MOSFET驅動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結構、但不帶必需的高邊MOSFET驅動器的HB (高亮度) LED設計提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅動器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓撲結構，并將地電位作為輸出電壓的參考點，從而使設計人員避免了采用SEPIC結構帶來的成本和設計復雜度。
MAX15054可提供2A驅動電流，具有極低(12ns，典型值)的傳輸延時和較短的上升、下降時間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
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Maxim 驅動器 MOSFET MAX15054
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅動器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器。
LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內驅動高端和低端 MOSFET 柵極，以高達 38V 的電源電壓工作。這個強大的驅動器可以吸收
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Linear MOSFET 驅動器 LTC4449
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