本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。
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MOSFET 漏極 導通 開關過程
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個眾所周知的事實――硅技術的創新已經與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創新形影不離。
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MOSFET 表面貼裝 封裝
有些設計者為了追求較高的轉換效率, 選擇了升壓方式，產生一組高于輸入的穩定輸出, 如圖三的升壓架構。由于功率開關MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內置MOSFET功率開關的升壓轉換器，如MAX1722, 可有效節省空間、降低成本。
手機Vdd解決方案
對于手機Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個內置MOSFET功率開關的同步降壓結構，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達1.2MHz, 允許設計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
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MOSFET 電源 OLED
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近幾年，隨著電子消費產品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關損耗及較快的開關速度，被廣泛地應用在低壓功率領域。
低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導通電阻，同時不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度。基于此，本文借助了溝槽
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MOSFET
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現今便攜應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，FDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產品的體積減小55%、高度降低5
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飛兆半導 FDMA1027 MOSFET
2008年11月13日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅動、LED驅動器、電源、轉換器、脈寬調制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態影響。
這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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安森美半導體 MOSFET
Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產品系列，加入能夠在各種消費、通信、計算及工業應用中發揮負載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業標準封裝的互補MOSFET。
這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現有器件兼容，性價比具有競爭優勢，不僅能減少物料清單，還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉
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Diodes MOSFET
二零零八年十月二十一日--中國訊 -- 美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代號：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時，該公司還推出了業界首套端到端MOSFET的篩選工具，可有效的協助工程師精簡開關控制器的設計。
該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個不同型號，全部都
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半導體 控制器 MOSFET
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
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MOSFET 結構 開關 驅動電路
功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統中的應用越來越廣。通常在實際...
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MOSFET 結構 開關 馬達 驅動電路
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出針對每通道25W以上D類音頻放大器的IRAUDAMP7參考設計，適用于包括家庭影院設備、樂器和汽車娛樂系統等應用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W，為單層PCB提供了高度的擴展性。
IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設計可以實現120W 8歐姆D類音頻放大器91%的效率，在頻率1 kHz的60W 8歐姆時的THD+N為0.005% （均為典型） .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
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IR D類音頻放大器 參考設計 MOSFET
在中國中，電源|穩壓器管理IC仍舊占據市場首要位置，（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產品。
從應用領域上看，消費電子領域銷售額位列第一位，工業控制居于第二，計算機領域銷售額位于第三位。這三大領域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應用市場。同時，憑借筆記本電腦
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MOSFET 功率晶體管 消費電子 IC LDO 液晶電視
日產汽車開發出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產已經把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC，今后有望實現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。
SiC元件作為具有優異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小，因此可
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麥克雷爾公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM） 同步降壓調節器家族增添了兩名新成員。這項在 MIC23030/1 中實施的專利架構能為便攜式產品提供一流的瞬態性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調節器內置 MOSFET，可在一個1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封裝中提供高達4億安的輸出電流，而損耗量僅為21微安的靜態電流。這些 HyperLight Load（TM） 降壓調節器能夠實現高達93
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