- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領先節能半導體技術供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產品系列，均可從庫存直接發貨至廣大設計工程師。
新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領先行業的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產品。
飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關鍵字：
RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統標準塑料封裝元件相比，可降低整體系統級尺寸和成本，實現更優異的性能和效率。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉
- 關鍵字：
IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
- 關鍵字：
Vishay MOSFET FET
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動。憑借同類器件中最低的優質化系數(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術可使系統設計的導通損耗降低一半。
對于應用二極管整流的48V開關電源而言，工程師們現在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個百分點，從功率損耗的角度看，也就是發熱量降
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET OptiMOS
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
- 關鍵字：
TI MOSFET
- 臺晶圓代工廠產能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下搶奪5寸、6寸晶圓產能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應求現象，對臺系相關供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現，將有顯著貢獻。
臺系MOSFET供應商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內部產能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動作明顯落后其它業者，未來3個月可
- 關鍵字：
晶圓代工 電源管理 MOSFET
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
- 關鍵字：
TI MOSFET DualCool NexFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業內P溝道器件最低的導通電阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝，將業內
- 關鍵字：
Vishay MOSFET TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多的空間。
SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。
在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導通電阻分別
- 關鍵字：
Vishay MOSFET SiM400
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協議的具體條款和條件保密。
英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。
作為半導體行業的全球領袖，英飛凌目前正
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET IGBT
- 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電
- 關鍵字：
MOSFET 應用 原理 電路 驅動
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業予以大力扶持。
眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，它的性能參數將直接決定著電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
- 關鍵字：
器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
- 近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發現散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
- 關鍵字：
MOSFET 噪聲測試 方法研究
- 安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業工作環境中的開關應用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。
安森美半導體汽車
- 關鍵字：
安森美 MOSFET 驅動IC
- 利用低端柵極驅動器IC可以簡化開關電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據額定電流和功能來選擇適當的驅動器，驅動器周圍需要哪些補償元件，以及如何確定熱性能等是設計時要注意的方面。
- 關鍵字：
Fairchild 轉換器 MOSFET 開關電源 柵極驅動器 200912
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條sic mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
