Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機應用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應用，包括備用泵和暖通空調系統。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機控制應用的嚴格要求，
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Diodes MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM現身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT(物聯網)的發展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業內外人士駐足及交流。
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ROHM SiC
全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅動和其他應用
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Fairchild MOSFET
一、引言 MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統不能穩定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。 二、開關管MOSFET的功耗分析
MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態損耗;2.導通損耗;3.關斷損耗;4.驅動
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MOSFET EMI
關于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 1、MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
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MOSFET 驅動電路
進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優化。
圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關
首先，FET 電阻與其面積成反比例關系。
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MOSFET
最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數據表的“看懂MOSFET數據表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數據表中出現的某些其它混合開關參數，并且檢查它們對于總體器件性能的相關性(或者與器件性能沒什么關系)。
另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據這些參數比較不同
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MOSFET 二極管
在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度。 本文中，我們把圖 1 所示模型的瞬態響應與圖 3 所示公開刊發的安全工作區域(SOA 曲線)部分進行了對比。
圖 1 將散熱容加到&nb
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MOSFET 電路板
在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。 熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結果，該串聯組件具有巨大的損耗，并在充電事件發生期間產生溫升。大多數熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示
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MOSFET
今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。 例如，大多數部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環境無關，并且是硅芯片與塑料封裝之間內在連接線的一個函數。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降
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MOSFET
本文總結了場效應管(MOSFET)檢測方法與經驗 一、用指針式萬用表對場效應管進行判別 (1)用測電阻法判別結型場效應管的電極 根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
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場效應管 MOSFET
在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數自始至終就毫無用處(比如說：開關時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數據表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說，是最常見的數據，而不會被不同的生產商為了使他們的產品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。
自從20世紀80年代中期在MOSFET 數據表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經被
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MOSFET UIS
全球SiC領先者CREE推出了業界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進行了優化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術，是開關模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業高電壓應用等的電源管理解決方案。
世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統功率范圍，
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世強 SiC
提出了一種小型可調壓DC-DC降壓變換器的結構。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅動能力較差，設計驅動電路通過與PWM發生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經濟適用、體積較小，輸出電壓可調。主要由主電路和驅動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結構進行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
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DC-DC降壓 PWM MOSFET 驅動電路 201601
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