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SiC市場的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
- 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。然而，開關(guān)模式在應(yīng)用中通常需要常關(guān)狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
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ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時(shí)間較長等問題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細(xì)節(jié)必須掌握
- 安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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因中國價(jià)格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計(jì)劃
- 根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報(bào)告，電動汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)過剩，導(dǎo)致價(jià)格下跌，據(jù)報(bào)道，這促使日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的計(jì)劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計(jì)劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產(chǎn)用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團(tuán)隊(duì)。日經(jīng)新聞補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)與中國競爭對手的價(jià)格競爭將在中長期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應(yīng)交易面臨風(fēng)險(xiǎn)
- 據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產(chǎn)保護(hù)。報(bào)告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰(zhàn)略計(jì)劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因?yàn)槠渑c Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預(yù)付款 10 年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。報(bào)告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國破產(chǎn)法第 11 章申請破產(chǎn)保護(hù)，瑞薩電子可能
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將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中
- 功率半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗(yàn)證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該實(shí)驗(yàn)室表示，這項(xiàng)技術(shù)可以提高效率，同時(shí)減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設(shè)備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設(shè)計(jì)的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當(dāng)今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
- 關(guān)鍵字： 東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
東芝在SiC專利申請中挑戰(zhàn)泰科天潤
- 中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國分析機(jī)構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個(gè)新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標(biāo)志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。這家中國公司在過去四個(gè)季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。第一季度授予了 420 多個(gè)
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CHIPS 法案、電動汽車關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機(jī)
- 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴(yán)峻的現(xiàn)金危機(jī)。作為車用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經(jīng)濟(jì)低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進(jìn)增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護(hù)。“作為我們貸方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費(fèi)爾 （Robert Feurle） 說。據(jù)報(bào)道，資產(chǎn)管理公
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SiC開始加速批量上車
- 在新能源汽車技術(shù)的演進(jìn)歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開啟了新能源汽車性能提升與技術(shù)創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術(shù)的應(yīng)用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實(shí)現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術(shù)格局與市場競爭態(tài)勢。碳化硅實(shí)現(xiàn)多價(jià)格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價(jià)格區(qū)間的車型
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SiC襯底市場 去年?duì)I收減9%
- TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時(shí)，市場競爭加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。進(jìn)入2025年，即便SiC基板市場持續(xù)面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。 同時(shí)，市場競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應(yīng)商營收
- 關(guān)鍵字： SiC 襯底 TrendForce
內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用
- 全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電
- Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用
- 引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源
- 關(guān)鍵字： GaN FET 人形機(jī)器人
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