- 1 SiC的應用優勢Bryan Lu:碳化硅(SiC)是新一代寬禁帶(WBG)半導體材料,具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數(FoM)和低反向恢復電荷(Qrr),特別適用于具有挑戰性的應用,尤其是高壓大電流等應用場景,主驅逆變器采用SiC,可提升系統的效率,進而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC(車載充電機)采用SiC,可實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統發展,SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業群先進電源
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- 碳化硅(SiC)具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點,可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求,對我國“新基建”產業發展具有重要意義,是未來五年“中國芯”最好的突破口之一,當下我國應該集中優勢資源重點發展。
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- 效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素,而功率因數校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗,盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響,需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源(包括 PFC)仍極具挑戰性。本文介紹了如何通過修改傳統 PFC 拓撲結構來更好地實現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級,由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1:橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結構還有一種提高
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- 預計在未來五年,住宅太陽能系統的數量將大幅增長。太陽能系統能為家庭提供清潔和綠色的能源,用于為家用電器供電,為電動汽車充電,甚至將多余的電力輸送至電網。有了太陽能系統,即使發生電網故障,也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統的主要組成部分,并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統的效率、可靠性和成本優勢。住宅太陽能逆變器系統概述住宅太陽能逆變器系統中包括了產生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點跟蹤”(MPPT) 方法(根據陽光的強度和方向優化能量采集),將可
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SiC 太陽能系統
- 由創新科技及工業局和引進重點企業辦公室共同推動,香港科技園公司(科技園公司)與微電子企業杰平方半導體(上海)有限公司(杰平方半導體)簽署合作備忘錄,在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心,并投資開設香港首間碳化硅(SiC)8寸先進垂直整合晶圓廠,共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。香港特區政府創新科技及工業局去年公布的《香港創科發展藍圖》中,明確指出應加強支持具策略性的先進制造產業發展,譬如半導體芯片,促進香港「新型工業化」的發展。作為全球最大的半導體進出口市場之一,香港更是位處大
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- 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能,可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經陸續提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此,羅姆已經提供超過3,500 種分立產品的LTspice?模型,這些模型從各產品頁面均可下載。目前,羅姆官網上發布的產品所對應的LTspice?模型覆蓋率
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- L4986簡介:L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器,采用專有的乘法器“模擬器”,除了創新型THD優化器,還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真(THD)性能。該器件引腳采用SO封裝,集成了800V
高壓啟動功能,無需使用傳統的放電電阻。可以支持的功率范圍從一兩百瓦到幾千瓦。 ST 提供兩個版本:A為65 kHz,B為130
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介:Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋,可以顯著提
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- 在工業、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件,比如 SiC,對提高能效至關重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展,從而實現更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言,建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統(如電動汽車充電基礎設施)和可再生能源系統(如太陽能光伏 (PV))應用中,MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰,必須在不增加太陽
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安森美 SiC
- 在工業、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件,比如 SiC,對提高能效至關重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展,從而實現更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言,建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統(如電動汽車充電基礎設施)和可再生能源系統(如太陽能光伏 (PV))應用中,MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰,必須在不增加太陽
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碳化硅 SiC
- 近日,意法半導體官微宣布,將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺。為了充分發揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優勢,意法半導體和博格華納技術團隊密切合作,力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關匹配,最大限度提高逆變器性能,縮小電驅架構尺寸并提升經濟效益。意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)總裁Marco Monti表示,意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
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- STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源,使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源,使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正(PFC)和諧波失真(THD)抑制,后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案,在230 VAC輸入時,測量峰值效率為96.3%
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- ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET,支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現電動化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來的多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創新和可持續移動解決方案的全球領導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼:BWA)合作,為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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- _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資,特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告,到 2050 年,幾乎所有道路運輸都將實現電氣化,預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的,包括比硅器件更快
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- 在科技領域中,碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星,逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯網、人工智能和物聯網等領域的迅速發展,芯片技術也不斷突破創新。而在這股技術浪潮中,碳化硅芯片憑借其獨特的優勢正愈發引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資,人們開始紛紛關注,碳化硅芯片是否即將主宰市場?更高的溫度耐受性碳化硅芯片,作為一種新興的半導體材料,因其出色的性能和優異的耐受性而備受關注。其中,其更高的溫度耐受性是其最大的優勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體,
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- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出業界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業應用通常使用DC?1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產品。然而,預計未來幾年內DC?1500V將得到廣泛應用,因此東芝發布了業界首款
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東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
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