- 近日,全球知名半導體制造商ROHM面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統、PLC(Programable Logic Controller)等工業設備,開發出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關(Intelligent Power Device,以下簡稱IPD)“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”,此次共推出8款產品。這些產品通過替代機械繼電器和MOSFET,實現汽車和工業設備市場所需的功能安全。新產品已于2022年10月開始暫以系列合計月產60萬個的規模投入量產
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ROHM 智能功率器件 功率損耗 IPD
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統、PLC(Programable Logic Controller)等工業設備,開發出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關*1(Intelligent Power Device,以下簡稱IPD)“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”,此次共推出8款產品。近年來,在汽車和工業設備領域,圍繞自動駕駛(自動化)的技術創新日新月異,對安全性的要求也越來越高。在進行設備開發時,必須考慮到如
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ROHM TDACC 小型智能功率器件
- 與普通產品相比,在主驅逆變器、OBC等的隔離電路中,安裝面積可減少約30%全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉換器和,新產品非常適用于xEV(電動汽車)的主驅逆變器、車載充電器(以下簡稱“OBC”)、電動壓縮機以及PTC加熱器*2等應用中配備的柵極驅動器的驅動電源。近年來,為了實現社會的可持續發展,混合動力汽車和純電動汽車(統稱“xEV”)加速普及。xEV將電力作為主要動力來源,并配備了各類電動汽車特有的應用,比如用于驅動電機的主驅逆變器、用于空調的電動
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ROHM 轉換器 xEV
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉換器“BD7F105EFJ-C”和“BD7F205EFJ-C”,新產品非常適用于xEV(電動汽車)的主驅逆變器、車載充電器(以下簡稱“OBC”)、電動壓縮機以及PTC加熱器*2等應用中配備的柵極驅動器的驅動電源。近年來,為了實現社會的可持續發展,混合動力汽車和純電動汽車(統稱“xEV”)加速普及。xEV將電力作為主要動力來源,并配備了各類電動汽車特有的應用,比如用于驅動電機的主驅逆變器、用于空調的電動壓縮機、用于提升車
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ROHM 隔離型DC-DC轉換器 xEV
- 在“DC-DC轉換器的熱仿真”系列中,將介紹使用ROHM Solution Simulator對耐壓80V、輸出5A的DC-DC轉換器IC“BD9G500EFJ-LA”組成的電源電路進行電路工作仿真,還會介紹可以同時執行該IC和外置器件肖特基勢壘二極管“RB088BM100TL”溫度仿真的仿真環境及其使用方法。本文的關鍵要點?ROHM Solution Simulator的熱分析功能具有以下特點:– 可對含有功率半導體、IC和無源器件的電路進行熱-電耦合分析。– 除了電路工作期間的半導體芯片溫度(結溫)分
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ROHM 轉換器 熱仿真
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,該產品非常適用于可穿戴設備、無線耳機等可聽戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開關應用。近年來,隨著小型設備向高性能化和多功能化方向發展,設備內部所需的電量也呈增長趨勢,電池尺寸的增加,導致元器件的安裝空間越來越少。另外,電池的尺寸增加也是有限制的,為了更有效地利用有限的電池電量,就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求,開發易于小型化而且特性優異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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ROHM MOSFET
- 具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET產品相比,在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中,我們介紹了LS(低邊)SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關斷時的行為。本文的關鍵要點1 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
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ROHM 橋式結構 柵極
- 測量表面溫度時,熱電偶的固定方法和導線的處理會影響測量結果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。本文的關鍵要點? 將熱電偶的測量端(連接端)固定到IC等封裝上的方法有兩種:①使用聚酰亞胺(PI)膠帶等;②使用環氧樹脂粘結劑。? JEDEC推薦使用環氧樹脂粘結劑的方法。? 除了熱電偶測量端的固定方法外,導線的處理也會影響到測量結果,因此應沿著發熱源敷設導線。測量表面溫度時,熱電偶的固定方法和導線的處理會影響測量結果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。熱電偶的固定方法:粘貼方法將熱電偶的
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ROHM 熱電偶
- 內置折返式限流電路的線性穩壓器IC,在IC啟動前輸出端被施加恒流負載時,可能會出現無法啟動的問題。本文的關鍵要點?內置折返式限流電路的線性穩壓器在啟動前被施加恒流負載時,可能會出現無法啟動的故障。?內置折返式限流電路的線性穩壓器的這種故障可以通過使用具有電流下垂特性的過電流保護電路的線性穩壓器來解決。?如果因恒流負載而使電流流過在IC的輸出引腳和接地之間的ESD保護二極管或寄生二極管,則IC可能會劣化甚至損壞,因此需要在IC的輸出引腳和接地之間連接肖特基勢壘二極管來進行保護。內置折返式限流電路的線性穩壓器
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ROHM 恒流負載
- 在下面的表格中,匯總了當著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側MOSFET時,LLC轉換器的優缺點。LLC轉換器通過部分諧振方式實現ZVS工作,部分諧振方式是使用激勵電流對MOSFET的輸出電容Coss進行充電和放電。這樣可以減少開關損耗,從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。本文的關鍵要點?雖然LLC轉換器的優點是開關損耗低,但受失諧的影響,開關損耗可能會增加,并且可能會導致MOSFET損壞。?LLC轉換器使用PFM方式來控制輸出電壓。由于LLC的增益頻率特性具有兩個諧振頻率,因此根據fsw被分
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ROHM LLC
- 這種故障類似于“案例3:直通電流導致的啟動故障①”,多發生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時和下降時明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。本文的關鍵要點?當作為負載的電路模塊在電源電壓上升時和下降時電流存在顯著差異時,可能會發生啟動故障。?需要充分評估折返式限流電路的特性和輸出電流(負載)的特性。案例4:直通電流導致的啟動故障②這種故障類似于“案例3:直通電流導致的啟動故障①”,多發生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時和下降時明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。圖2表示將該電路模塊與“案例2:恒流負載導
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ROHM 穩壓器
- ——“MCR系列”通用型分流電阻器的兩款機型也已更新,產品陣容更強大全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設備、工業設備和消費電子設備等廣泛的應用領域,開發出“LTR系列”的長邊電極型分流電阻器“LTR10L”,同時,“MCR系列”通用型分流電阻器中的兩款機型也已更新為“MCR10L”和“MCR18L”,產品陣容得到進一步強化。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? &nb
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ROHM 超高額定功率 分流電阻器 LTR10L
- *設備端(On-device)學習:?在同一AI芯片上進行學習和訓練全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出一款設備端學習*AI芯片(配備設備端學習AI加速器的SoC),該產品利用 AI(人工智能)技術,能以超低功耗實時預測內置電機和傳感器等的電子設備的故障(故障跡象檢測),非常適用于IoT領域的邊緣計算設備和端點*1。通常,AI芯片要實現其功能,需要進行設置判斷標準的“訓練”,以及通過學到的信息來判斷如何處理的“推理”。在這種情況下,“訓練”需要匯集龐大的數據量形成數據庫并隨時
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ROHM 設備端 AI芯片 無需云服務器 實時預測故障
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向汽車ADAS(高級駕駛輔助系統)中的傳感器和雷達等性能日益提升的小型車載應用,開發出LDO穩壓器*1IC“BUxxJA3DG-C系列(BU12JA3DG-C、BU15JA3DG-C、BU18JA3DG-C、BU25JA3DG-C、BU30JA3DG-C、BU33JA3DG-C)”。 ? ? ? ? ? ? ??近年來,在汽車領域,隨著事故防止和自動駕駛技術的創新,對安全性能
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ROHM 車載LDO穩壓器
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向包括車載傳感器和攝像頭等在內的ADAS(高級駕駛輔助系統)、信息娛樂系統等日益復雜的車載應用,開發出一款降壓型DC-DC轉換器IC*1“BD9S402MUF-C”。近年來,在汽車領域,隨著事故防止和自動駕駛技術的創新,對安全性能的要求也越來越高。與此同時,控制包括車載傳感器和攝像頭在內的ADAS系統的SoC和微控制器也日益復雜(為提高處理能力而提高電流、為省電而降低電壓),這就要求向它們供電的電源IC,要在負載電流波動的嚴苛條件下,也能更穩定地運行。為了
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ROHM ADAS DC-DC轉換器
rohm介紹
Rohm株式會社為全球知名的半導體生產企業,ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業,在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業規模,憑借被稱為"超常思維"的創新理念,加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗,ROHM [
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