智能座艙已經成為如今汽車特別是新能源汽車的標配，隨著智能座艙功能越來越多，對汽車座艙的屏幕顯示技術的要求越來越高，如何滿足越來越復雜的屏幕顯示需求，已經成為諸多半導體廠商面臨的新挑戰。隨著電子后視鏡和液晶儀表盤的普及，每輛車安裝的顯示器數量隨之增加，視頻傳輸路徑也變得更加復雜，這必然會導致系統成本和故障風險增加，因此簡化視頻傳輸路徑一直是亟需解決的課題。另外，由于電子鏡上的圖像卡頓和儀表盤上的指示燈圖標不亮等問題可能會導致嚴重事故，所以融入功能安全設計也非常重要。近日，全球知名半導體制造商ROHM面向多屏
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ROHM 車載多屏顯示器 串行/解串器 全高清 功能安全
Nano Cap 技術為解決電容問題開拓了小型化和穩定化新領域全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向汽車動力總成系統、車身和汽車信息娛樂系統等廣泛的車載應用的一次（直接連接12V電池）電源，開發出車載LDO穩壓器*1 IC“BD9xxN1系列（BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C）”。近年來，隨著各種設備的電子化進程加速，電子元器件的安裝數量也與日俱增，為了減少元器件的尺寸和數量，對于減少常
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ROHM LDO穩壓器
支持全高清（Full HD）分辨率的產品且通過業界先進的端到端數據監控功能，助力功能安全全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向多屏化趨勢下的車載顯示器領域，開發出支持全高清分辨率（1,980×1,080像素）的SerDes IC*1（串行器：BU18TL82-M，解串器：BU18RL82-M）。近年來，隨著電子后視鏡和液晶儀表盤的普及，每輛車安裝的顯示器數量隨之增加，視頻傳輸路徑也變得更加復雜，這必然會導致系統成本和故障風險增加，因此簡化視頻傳輸路徑一直是亟需解決的課題。另外，由于電子鏡上
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ROHM 視頻傳輸 串行/解串器
SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開發碳化硅（SiC）功率模塊方面已經有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車規級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向需要對電子電路進行電壓監控以確保安全的各種車載和工業設備應用（包括車輛引擎控制單元和FA設備），開發出具有高精度和超低靜態電流的復位IC*1（電壓檢測器）“BD48HW0G-C”。 近年來，在汽車和工業設備領域，圍繞自動駕駛（自動化）的技術創新日新月異，對安全性的要求也越來越高。與此同時，為了構建更安全的系統，要求在設備開發過程中就要考慮到在發生問題時如何確保安全（故障安全和功能安全）。目前，ROHM已開發出1,000多種復位IC，這些是電子
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ROHM 復位IC
有助于提高空調、電動汽車充電樁等的電源效率并為減少噪聲對策做出貢獻全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向在空調和電動汽車充電樁等需要大功率的工業設備和消費電子設備，開發出實現了低VF和高速trr特性*1以及超低噪聲特性的第4代快速恢復二極管（以下稱“FRD”）650V耐壓“RFL/RFS系列”。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題。其中，高功耗的白色家電和電動汽車充電樁等工業設備不僅需要提高電源電路的效率，還需要減輕降噪設計的負擔。在這種背景下，ROHM推
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ROHM FRD
在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅動器源極引腳的差異和效果。有驅動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認驅動器源極引腳的效果。?具備驅動器源極引腳，可以大大降低導通損耗和關斷損耗。?如果ID導通峰值或VDS關斷浪涌因開關速度提升而增加，就需要采取對策。在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅動器源極引腳的差異和效果。有驅動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關損耗。在本文
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ROHM 驅動器
【導讀】近年來，在智能手機和智能手表等眾多的應用領域，由于可以取消充電端口并提高防水和防塵性能，無線供電功能的應用越來越廣泛。同樣，在小型薄型設備領域，對這種非常方便的無線供電功能的需求也日益增長。另一方面，由于天線形狀、尺寸和距離等因素會影響到能否實現供電功能以及供電效率，因此需要在電子設備整機上反復進行試制、調整、評估等工作之后才能實現無線供電功能，這使得天線設計和布局設計方面的開發負擔非常繁重。因此，業內對于更好地通用于小型設備的無線供電標準和方式的期望值越來越高。無線供電方式及其特點無線供電方式有
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ROHM 無線充電
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型，新產品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業設備的電源電路、以及空調等因節能趨勢而采用變頻技術的白色家電的電機驅動。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動汽車充電樁、服務器和基站等工業設備以及空調等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
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UPS PrestoMOS ROHM
半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實現低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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SiC GaN ROHM
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業設備和各種物聯網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產品通過采用自有的結構，成功
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ROHM 150V GaN HEMT
一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優于硅基產品，以后有對應設備
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開發板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區域也有明顯的標識。
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
7月27日，羅姆媒體交流會成功舉辦。會上，來自羅姆半導體的專家們向電子產品世界等媒體介紹了新產品用于LiDAR的激光二極管的特性，分享了羅姆中期經營計劃。
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ROHM RLD90QZW3 FPLD
rohm介紹
Rohm株式會社為全球知名的半導體生產企業，ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業,在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業規模，憑借被稱為"超常思維"的創新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [
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