- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款可實現高性能打印并節能約30%的、由１節鋰離子電池（3.6V）驅動的新結構熱敏打印頭“KR2002-Q06N5AA”。 近年來，隨著物流行業的發展而普及的便攜式標簽打印機以及電子貨幣支付的發展而普及的支付終端變得越來越重要。在便攜式標簽打印機和支付終端等便攜式熱敏打印機領域，由于打印速度和打印質量的關系，由2節鋰離子電池驅動的機型是主流產品。如果打印機能夠用1節鋰離子電池供電，就可以做得更小、更輕，同時還可以更節能。而另一方面，通過1節
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ROHM 鋰離子電池 熱敏打印頭
- 制造業的DX（數字化轉型）將為制造業帶來巨大變革。其中尤為引人注目的是智能工廠。通常，智能工廠給人的印象是一種近未來的形象：引進協作機器人或AMR（自主移動機器人），結合AI技術和大量分析數據，實現自動化和省人化（節省人力）。其實，只需在現有系統中嵌入使用傳感器和無線通信的簡單IoT（物聯網）技術，也可以讓工廠變為智能工廠。實現智能工廠不僅可以提高生產力、品質和安全性，還可降低成本、減輕環境負荷，同時，通過為設備或裝置另行配備AI芯片，還可實現實時故障預測、深度修理和更換、降低生產線停轉風險。ROHM不僅
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ROHM 傳感器 無線通信
- ～產品陣容新增具有低噪聲、高速開關和超短反向恢復時間特點的5款新產品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來，隨著照明用的小型電源
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ROHM Super Junction MOSFET
- 本文的關鍵要點?各種項目的絕對最大額定值都是絕對不能超過的值。?IGBT IPM絕對最大額定值的解釋基本上與半導體器件相同。?由于絕對最大額定值不是保證產品工作和特性的值，因此設計通常基于推薦工作條件和電氣特性項目中的規格值進行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實例：絕對最大額定值?首先，為了便于理解后續內容，我們先
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IGBT IPM ROHM
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款高輸出功率半導體激光二極管“RLD90QZW8”，該產品非常適用于搭載測距和空間識別用LiDAR*1的工業設備領域的AGV（Automated Guided Vehicle/無人搬運車）和服務機器人、消費電子領域的掃地機器人等應用。近年來，在AGV、掃地機器人和自動駕駛汽車等需要自動化工作的廣泛應用中，可以準確測量距離和識別空間的LiDAR日益普及。在這種背景下，為了“更遠”、“更準確”地檢測到信息，要求作為光源的激光二極管提高輸出功率和性能。R
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ROHM LiDAR 功率激光二極管
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC“BD2311NVX-LB”。近年來，在服務器系統等領域，由于IoT設備的需求日益增長，電源部分的功率轉換效率提升和設備的小型化已經成為重要的社會課題，而這就要求功率元器件的不斷優化。另外，不僅在自動駕駛領域，在工業設備和社會基礎設施監控等領域應用也非常廣泛的LiDAR*1，也需要通過高速脈沖激光照射來進一步提高識別精度。在這類應用中，必須使用高速開關器件，因此，ROHM在推出支持高速開關的GaN器件的同時，還
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ROHM GaN器件 高速柵極驅動器IC
- 功耗密集型應用的設計人員需要更小、更輕、更節能的電源轉換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動汽車 (EV) 等應用中尤其如此，若能實現這些改進，可加快充電速度、延長續航里程。為了實現這些改進，設計人員目前使用基于寬帶隙 (WBG) 技術的電源轉換器，例如碳化硅 (SiC) 電源轉換器。功耗密集型應用的設計人員需要更小、更輕、更節能的電源轉換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動汽車 (EV) 等應用中尤其如此，若能實現這些改進，可加快充電速度、延長續航里程。為了實現這些改進，設計人員目前使用基
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ROHM 大功率應用 溫度范圍
- 緩沖電路包括由電阻器、線圈、電容器等無源元件組成的電路，以及由半導體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無需控制且具有成本優勢的電路方式。關鍵要點※ 要想使緩沖電路充分發揮出其效果，需要盡可能靠近開關器件進行安裝。緩沖電路包括由R、L、C等無源元件組成的電路和由半導體元器件組成的有源電路。※ 本文介紹了無需控制而且具有成本優勢的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。本文進入本系列文章的第二個主題：“緩沖電路的種類和選擇”。●
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ROHM 緩沖電路
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出兩款高可靠性高速熱敏打印頭“TE2004-QP1W00A（203dpi）”和“TE3004-TP1W00A（300dpi）”，新產品非常適用于物流和庫存管理等領域打印標簽所用的條碼標簽打印機。近年來，電子商務（EC）市場蓬勃發展，消費者的需求越來越多樣化，使得對物流標簽和庫存管理標簽等的需求也日益高漲。然而，憑借以往的熱敏打印頭技術，250mm/秒～300mm/秒已經是打印速度的極限。在這種背景下，ROHM采用新結構和新技術開發出高可靠性的高速熱敏打
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ROHM 條碼標簽打印 超快打印 熱敏打印頭
- ～非常適用于通信基站和工業設備等的風扇電機，有助于設備進一步降低功耗和節省空間～ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應用，開發出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產品。新產品分為“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”兩個系列，共5款新機型。近年來，在通信基站和工業設備領域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統，電源電壓呈提
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ROHM 雙MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向包括無線耳機和智能手表等可穿戴設備在內的需要脫戴檢測和接近檢測的各種應用，開發出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近傳感器“RPR-0720”。 近年來，隨著物聯網設備的普及，在其中發揮著重要作用的傳感器產品需要具備更小的體積、更高的性能。ROHM擁有將發光元件和光接收元件一體化封裝的接近傳感器系列產品，由于其適用性高而被廣泛應用于從移動設備到工業設備的眾多領域。特別是在可穿戴設備領域，由于產品的性能不斷提升，導致所用的元器件數量增加，對設
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ROHM VCSEL 接近傳感器 無線耳機 可穿戴設備
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續發展的社會，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
- 逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。單相逆變電路的電路圖和輸出電流的示意波形分別如圖1和圖2所示。單相逆變電路可將直流電轉換為單相交流電，因此通常被用于功率調節器和不間斷電源（UPS）等普通家庭的商用電源應用。關鍵要點?逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。?電機驅動采用可使轉矩穩定、且可抑制振動和噪聲的三相逆變器。?用三相逆變器驅動電機時的激勵（通電）方式有方波驅動（120°激勵）和正弦波驅動（三相調制、兩相調制），不同的方式各有優缺點。?在本系列文章中，將以電機驅動中常用的正弦波
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ROHM 逆變電路
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向使用到磁場檢測的車載應用開發出新的霍爾IC“BD5310xG-CZ?/ BD5410xG-CZ系列”。近年來，隨著汽車的電動化和高性能化發展，以及舒適性和安全性的提高，在汽車中電子產品的應用越來越多，而控制這些電子產品的ECU（電子控制單元）和附帶的傳感器已成為不可或缺的組成部分。在傳感器類產品中，霍爾IC能夠以非接觸方式進行位置檢測和電機旋轉檢測，與機械式開關相比，具有不易磨損、體積小、可配備保護電路等諸多優點，因此其應用尤為廣泛。ROHM
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ROHM 霍爾IC
- 開關導通時，線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能（電流能量）。當該能量與開關器件的寄生電容發生諧振時，就會在漏極和源極之間產生浪涌。下面將利用圖1來說明發生浪涌時的振鈴電流的路徑。這是一個橋式結構，在High Side（以下簡稱HS）和Low Side（以下簡稱LS）之間連接了一個開關器件，該圖是LS導通，電路中存在開關電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過線路電感LMAIN流動。本文的關鍵要點?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實際的版圖設
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ROHM 漏極 源極
rohm介紹
Rohm株式會社為全球知名的半導體生產企業，ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業,在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業規模，憑借被稱為"超常思維"的創新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [
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