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        ROHM助力智能功率器件實(shí)現(xiàn)功能安全并減少功率損耗

        作者: 時(shí)間:2022-12-29 來(lái)源:EEPW 收藏

        近日,全球知名半導(dǎo)體制造商面向引擎控制元和速箱控制元等車載電子系統(tǒng)PLCProgramable Logic Controller)等工業(yè)設(shè)備,開發(fā)40V壓?jiǎn)?/span>通道和雙通道出的智能低開關(guān)(Intelligent Power Device,以下簡(jiǎn)BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列,此次共推出8產(chǎn)品。產(chǎn)品通過(guò)替代機(jī)械繼電器和MOSFET實(shí)現(xiàn)和工業(yè)設(shè)備場(chǎng)所需的功能安全。新產(chǎn)品已于202210月開始以系列合計(jì)產(chǎn)60萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202212/442182.htm

         

        安全至上的應(yīng)用,汽和工業(yè)設(shè)備兩大領(lǐng)域隨著子系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)對(duì)安全性的要求也越來(lái)越高。設(shè)備發(fā)中必要考到如何在急情況下確保功能安全。傳統(tǒng)上,通常采用機(jī)械繼電器或MOSFET來(lái)執(zhí)路的ON/OFF控制,但它在系統(tǒng)故障時(shí)不具應(yīng)的保護(hù)功能。傳統(tǒng)路保護(hù)以保險(xiǎn)絲繼電主,但在應(yīng)對(duì)功能安全需求時(shí)存在著不少的問(wèn)題可以被認(rèn)為是用半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)現(xiàn)險(xiǎn)絲繼電器的功能,它主要是由出角的功率MOS、保護(hù)電路和有源三大部分成的,保護(hù)電實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)過(guò)熱護(hù)。相對(duì)傳統(tǒng)的機(jī)械保險(xiǎn)絲和機(jī)械的繼電器,智能半導(dǎo)體功率元器件無(wú)需更,可靠性高且能實(shí)現(xiàn)靜音。IPD智能功率開關(guān)可以智能地檢測(cè)路上的過(guò)電流,然后自主地去關(guān)功率MOS以保護(hù)統(tǒng),同時(shí)可以去通知主控端比如MCU。此外,IPD也可以消除機(jī)械繼電器在過(guò)流保護(hù)時(shí)候出現(xiàn)嗒聲,種噪音如果用在車載可能用驗(yàn)不是很好,IPD檢測(cè)過(guò)電流之后自動(dòng)關(guān)功率器件,實(shí)現(xiàn)無(wú)聲無(wú)息地提供保護(hù)戶帶來(lái)比良好的體驗(yàn)IPD可以進(jìn)路的ON/OFF控制,內(nèi)置有保護(hù)功能,可保護(hù)電路免受氣故障(異常時(shí)過(guò)電流)的影響,有助于構(gòu)建安全且可靠性高的系統(tǒng)。新產(chǎn)品配置在機(jī)和照明等被控設(shè)備的下側(cè)(接地側(cè)路中,從結(jié)構(gòu)方面看,具有可松替代機(jī)械繼電器和MOSFET、易于設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。正是因IPD些特性,其在工業(yè)場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)達(dá)到了2.18美元,在車載場(chǎng)上它的需求量也是日益增長(zhǎng)

         

        從功能安全的角度來(lái)看,IPD具有保護(hù)功能,而且在壽命和可靠性方面也表現(xiàn)非常出色,因而得以日益普及,其市場(chǎng)規(guī)模正在不斷擴(kuò)大。IPD可以用于汽各個(gè)部位的保護(hù),比如日益子化的車載電裝系統(tǒng)以及ECU的保護(hù)有可以在急情況下降低風(fēng)險(xiǎn)的功能安全設(shè)計(jì)理念,些都是智能高低開關(guān)也就是IPD可以發(fā)揮作用的地方。現(xiàn)在在汽各個(gè)部位都可以看到IPD應(yīng)用的身影,比如說(shuō)引擎控制、速箱控制、燈、防抱死制動(dòng)統(tǒng)等等。

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        針對(duì)場(chǎng)對(duì)提升可靠性的需求,早在2014年就開始構(gòu)建IPD用工。此次通過(guò)進(jìn)一步提高用工流承能力,并結(jié)的模擬設(shè)計(jì)術(shù)優(yōu)勢(shì),打造了更廣泛的產(chǎn)容。姆公司一直以來(lái)都是垂直統(tǒng)合型的生產(chǎn)體制,凝聚工設(shè)計(jì)、功率封裝幾大技術(shù)優(yōu)勢(shì)來(lái)開發(fā)擬電源芯片,同的理念也應(yīng)用于保護(hù)IPD的開發(fā)和生產(chǎn)接,從而使得IPD可以姆的先進(jìn)術(shù),提供多化的產(chǎn)容。是自主開發(fā)IPD用的生產(chǎn)線,將溝槽MOSCMOS集成于一枚芯片中,在市場(chǎng)上只有包括姆在內(nèi)的三家公司有相同的工。從設(shè)計(jì)上來(lái)說(shuō)針對(duì)需求,追求方便使用易用性,IPD系列產(chǎn)品開發(fā)了不同的功能,比如雙重故障反、可調(diào)限流和壓擺率的控制。功率封裝上緊貼車載的需求以及功率器件散性的要求,開發(fā)出了晶體材料,在封裝上保IPD產(chǎn)品能夠滿足功能安全的技術(shù)要求。

         

        IPD內(nèi)部的功率MOSFET部分在關(guān)斷時(shí)會(huì)因反電動(dòng)勢(shì)發(fā)熱,新產(chǎn)品采用ROHM自有的路和器件技術(shù)“TDACC?”,通過(guò)優(yōu)化控制流過(guò)電流的通道數(shù)量,在保持小型封裝的前提下抑制了發(fā)熱量并實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)阻,些特性在小型IPD中是很時(shí)的。將非常有助于各種設(shè)備的安全運(yùn)行和減少功率耗。采用TDACC?術(shù)可以進(jìn)一步小封裝,從而成功地實(shí)現(xiàn)業(yè)界尚不多SOP-J8封裝雙通道40mΩ導(dǎo)阻)的產(chǎn)品。通道和雙通道產(chǎn)品均有4080160250mΩ多種導(dǎo),能夠滿足客化的需求。另外,新產(chǎn)品的接觸放耐受能力(表示對(duì)過(guò)電流浪涌的耐受能力)也高于普通產(chǎn)品,將有助于各種設(shè)備的安全工作。

         

        未來(lái),ROHM計(jì)劃將采用TDACC?術(shù)IPD用工藝進(jìn)一步微細(xì)化,開發(fā)更低導(dǎo)阻、更小型、更多功能、更多通道的系列IPD產(chǎn)品,通過(guò)豐富的產(chǎn)和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的安全、安心和節(jié)獻(xiàn)力量。

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