- 英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。
利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。
相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發光波長的藍位移隨著驅動電流增加而
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GaN LED
- 英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果?！ ±迷贛-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！ ∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發光波
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GaN LED
- 由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發實驗室-HRL實驗室已經宣布其實現互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結果發表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。
在此過程中，該實驗室已經確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術鋪平了道路。
氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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GaN 場效應晶體管
- 本文以改善RF的信號質量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動終端的PA電源線的噪聲對策方法?！ ∫灾悄苁謾C為首的移動無線終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發射)，尋求改善PA的電源質量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無線通信中，以國際標準(ITU)為首，3GPP(無線通信標準機構)，以及各運營商都對不必要的輻射的范圍值設定了嚴格的標準。因此，我們有必要通過PA的電源線的噪聲
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RF 噪聲
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產業和技術展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點：深圳南山軟件創業基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經是比較大的挑戰了。所有這一切都意味著電子產業會越來越依賴新型功
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GaN 功率器件
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產業和技術展望研討會 時間：2016.01.14?下午 地點：深圳南山軟件創業基地?IC咖啡 演講主題：RF?integrated?module?to?support?CA?and?global?phone 演講人：陶鎮?-?Qorvo移動產品市場戰略部亞太區經理 陶鎮：大家早上好!我是陶鎮，來自Qorvo公司。剛才主持人介紹
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Qorvo RF
- 未來虛擬現實和智能汽車成為焦點，VR將會引發的變革成了全產業鏈熱議的話題，VR也必會給物聯網產業帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
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物聯網 GaN
- 近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現代人類信息化社會發展的基石，是推動節能減排、轉變經濟發展方式，提升新一代信息技術核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發展的話語權?
第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN
半
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半導體 GaN
- 據國外媒體報道，佛羅里達州的RF(射頻)技術研發商ParkerVision本周向美國國際貿易委員會(ITC)和佛羅里達州地區法院提出起訴，指控蘋果、三星、LG和高通等4家公司侵犯了它的某些無線連網專利?！ arkerVision表示，高通和三星制造的無線接收器侵犯它的4項無線連網專利。蘋果、三星和LG都在各自的移動產品中使用了侵權的高通芯片，三星自主研發的Shannon 928 RF收發器也面臨著進一步的審查?！ ”景干婕暗膶＠ǖ?879817號、第7929638號、第8571135號和第911
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RF 蘋果
- 2015年11月27日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術論壇，繼9月23日首場在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開帷幕。來自北京、長三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產業趨勢和市場熱點進行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術成果。 公司執行副總裁范恒先生和執行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現場，與參會嘉賓互動交流。同時公司派出了陣容
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華虹 RF-CMOS
- 在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發現，當需要給無線器件確定濾波器參數時，急需復習射頻基礎知識。如果沒有考慮濾波器類型和最低技術規格要求方面的基本要素，可能導致產品不能通過“測試”，結果產品又得重新開始設計，導致代價昂貴的生產推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產出的產品滿足客戶的生產標準和功能。事實上，這種知識有助于在提高產品在市場上的成功機會的同時，控制生產費用。 從基礎開始 在當今無線領域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關注濾波器的性能。如
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RF，微波濾波器
- DIGITIMES Research觀察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現，業界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。
更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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GaN SiC
- 硅基GaN潛力大
近日，MACOM在京召開新聞發布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”
圖1 GaN的巨大潛力
如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
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GaAs GaN
- 簡介
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。
使用壽命預測指標
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使
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GaN
- 當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
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