根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
典型的精密運算放大(運放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號衰減到非常低的水平，因為它們遠遠超出了放大器的帶寬范圍。然而，實際情況并非如此。事實上，包含在放大器內的靜電放電(ESD)二極管、輸入結構和其它非線性元件會在放大器的輸入端對RF信號進行“整流”。在實際意義上，RF信號被轉換成一種直流(DC)偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。
用戶也許會問：“對于由給定RF信號產生的DC偏移電壓，我如何確定其幅
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量化射頻 RF
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業(yè)。Yole預期EV/HEV產業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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SiC GaN
目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
多輸入多輸出，更高的效率Wi-Fi系統(tǒng)的效能與容量將邁入新境界。
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Wi-Fi RF
手機終端增加移動支付芯片不只是簡單的芯片硬件成本，還有更多其他配套成本，但是增加一個功能可以帶來差異化，差異化可以給手機帶來的溢價。
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NFC RF
一直以來，蜂窩電話都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著對包含多標準(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長，直接轉換接收器和發(fā)射器架構變得日趨流行。在過去十年中，集成電路技術取得長足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。
一個典型的蜂窩收發(fā)器(見圖)包括RF前端、混合信號部分和實際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構選擇包括直接轉換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉換到直流的方法會受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
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RF 混合信號
在過去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設計一直是半導體行業(yè)最令人興奮、且在技術上最具挑戰(zhàn)的設計之一。在這期間，盡管半導體行業(yè)取得了不少的進步，但是一個永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運算的數字世界實現無縫對接，當前無處不在的移動環(huán)境和迅速崛起的物聯網(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。
當今全球半導體的市場份額約為3，200億美元，數字和存儲器IC約占這個市場的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進的CMOS處理技術驅動著這些IC
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RF 混合信號
在電子設計中，模擬/RF設計一直是最讓設計師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設計，但 是，要讓器件運轉正常，設計師需要更多實際電路的評估和測試，這方面需要時間和經驗的積累，也是非常耗費精力財力的，有沒有什么辦法讓設計師可以加快這方 面的設計呢?或者能實現模擬射頻電路的復用?ADI的實驗室電路給出了一些探索。
“ADI的實驗室電路不同于參考設計，是更接近實際應用的 電路。”ADI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網采訪時表示，
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ADI RF
當射頻電路一切都按預先設定的方案設計完成之后，其性能不一定就會完全達標，其中會導致射頻性能不達標的一個重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因為射頻范疇內電路布局、布線不合理造成，亦可能是因為其它方方面面的原因。大多數情況導致干擾出現都是當和其它電路，如數字電路部分、電源電路部分等組合后才產生的。
處理干擾問題是做設計工作必須的、更是射頻設計、預研工作重點之一。在此簡單談談我們對射頻方面電磁干擾的理解與認識。
電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設備中無處不在，在射頻領域表現卻特別突出
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RF EMC
隨著模數轉換器(ADC)的設計與架構繼續(xù)采用尺寸更小的過程節(jié)點，一種新的千兆赫ADC產品應運而生。能以千兆赫速率或更高速率進行直接RF采樣且不產生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達應用的直接RF數字化帶來了全新的系統(tǒng)解決方案。
最先進的寬帶ADC技術可以實現直接RF采樣。就在不久前，唯一可運行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構是分辨率為6位或8位的Flash轉換器。這些器件能耗極高，且通常無法提供超過7位的有效位數(ENOB)，這是由于Flash架構的幾何尺寸與功耗限
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ADC RF 轉換器 LVDS FPGA
無線網格網絡得到了越來越廣泛的采用，因為這類網絡能夠利用功率相對低的無線電設備在節(jié)點之間轉發(fā)信息，并覆蓋很大的區(qū)域，還能夠使用替代的通路和途徑以克服干擾問題，保持很高的可靠性。尤其是有一種稱為時間同步通道跳頻 (TSCH) 的網格網絡技術，該技術由凌力爾特的 Dust Networks 率先提出，并已納入 WirelessHART 工業(yè)標準。TSCH 經過實用驗證，可提供工業(yè)物聯網所需性能。TSCH 網絡一般提供 >99.999% 的數據可靠性，而且所有無線節(jié)點 (甚至路由節(jié)點) 的小型鋰電池之
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無線網格網絡 WSN RF 物聯網 TSCH
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