Bulk Si技術近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發

　　DIGITIMES Research觀察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現，業界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。

　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言，則需要更高的切換頻率。

　　氮化鎵、碳化矽技術表現雖佳，但現階段發展上有其挑戰，包含過高的成本、技術表現可靠度不足、可供貨業者有限，以及缺乏配套的封裝整合技術等，不過業界正逐一尋求突破。

　　業界為了加速發展新材料功率半導體已進行多項商業布局，包含投資新創業者、發動購并、事業體分拆、技術合作等。期許讓功率半導體獲得新應用話題、新成長動能。

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