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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體
低壓驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與模擬
- 近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)（RF MEMS）器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注，特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線，是實(shí) ...
- 關(guān)鍵字： 低壓驅(qū)動(dòng) RF MEMS 開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì) 模擬
利用PCB布局技術(shù)實(shí)現(xiàn)音頻放大器的RF噪聲抑制
- 摘要：PCB布局技術(shù)可用于優(yōu)化音頻放大器IC的RF噪聲抑制能力。在此我們將利用Maxim推出的MAX9750 IC進(jìn)行實(shí)例分 ...
- 關(guān)鍵字： PCB布局 現(xiàn)音頻放大器 RF 噪聲抑制
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