- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.近期宣布，其在中國的新工廠投入運營。該新工廠位于山東省德州，占地47,000平方米，是Qorvo在華設施占地面 積的兩倍以上，并增加了關鍵的最新組裝、封裝和測試技術，幫助公司滿足其RF解決方案不斷增長的需求。
Qorvo 亞太區運作及大中華區業務副總裁GC Lee表示：“德州業務的開展提供了大量的最新線焊、倒裝芯片和銅柱技術，同時擴充了產能，有助于Qorvo更好地為中國和全球客戶服務。工廠最新的
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Qorvo RF
- 安立公司在其市場領先的 E 系列 Site Master™、Spectrum Master™ 和 Cell Master™ 手持式現場分析儀中推出 CPRI RF 測量性能，可大幅簡化安裝在 4G 塔上的遠端射頻頭 (RRH) 的測試過程，并降低相關成本。該全新選件進一步鞏固了安立公司作為現場測試解決方案領域行業領導者的地位，使得負責無線網絡的無線運營商工程師、技術人員和承包商在地面上即可識別無線傳輸上行鏈路的干擾源，避免使用不必要且費用高昂的爬塔人員，從而降低網絡
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安立 RF
- 當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點，我國應加緊產業布局，搶占發展的主動權。
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GaAs GaN
- 臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
- 我在之前的博文中論述了無線電頻率(RF)取樣結構對寬帶系統的優勢，但有些系統的運行需要中等帶寬，或有其它重點考慮的因素。有源天線陣使用多個專用于產生比單個元件更集中的輻射模式天線。這種集中的模式可將天線增益增加到預定目標或用戶，并可同時對波束圖型以外區域提供干擾抑制，從而無需過多信號帶寬。
雷達陣列就是一種用于精確定位空間目標的有源天線系統。圖1中所示的簡單的3×3陣列系統能夠導引兩個維度的波束來追蹤目標。
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圖 1：3×3雷達天線陣列
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TI RF
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優化商業用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
- 今天的智能手機和平板電腦內均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關、可調諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術可支持移動設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區域為無線設備提供持續強勁且清晰的網絡連接。 移動市場對RF SOI的追捧持續升溫，因為它以高性價比實現了低插入損耗，在廣泛的頻段內實現低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數據傳輸速度，同時有望在物聯網中發揮關鍵作用。
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RF-SOI 5G
- 氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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GaN PFC
- 基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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TI GaN
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。 GaN的優勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
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安森美 GaN
- 數據轉換器充當現實模擬世界與數字世界之間的橋梁已有數十年的歷史。從占用多個機架空間并消耗大量電能(例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W)的分立元件起步，數據轉換器現已蛻變為高度集成的單芯片IC。從第一款商用數據轉換器誕生以來，對更快數據速率的無止境需求驅動著數據轉換器不斷向前發展。ADC的最新化身是采樣速率達到GHz的RF采樣ADC。 早先的ADC設計使用的數字電路非常少，主要用于糾錯和數字驅動器。新一代GSPS(每秒千兆樣本)轉換器(也稱為RF采樣ADC)利用
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ADC RF
- 2.4GHz頻段現已成為家庭、辦公室和工廠短距離無線應用的普遍選擇。通常，2.4GHz信道隸屬于免許可的工業、科學和醫學(ISM)頻 段。ZigBee(IEEE 802.15.4)、Bluetooth(IEEE 802.15.1)、Wi-Fi(IEEE 802.11 b/g/n)、無線通用串行總線(WUSB)和私有協議(如MiWi)等許多協議以及部分無繩電話均采用此頻段。然而，在2.4GHz ISM頻段運行的不同協議會相互干擾。 因此，評估
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2.4GHz RF
- 根據彭博新聞(Bloomberg)的消息，中國廠商對于收購恩智浦半導體(NXP Semiconductors)的標準產品業務興趣濃厚;該報導引述匿名消息來源指出，恩智浦可能會開價至少20億美元出售標準產品業務，而有興趣的買家包括投資業者北京建廣資本(JAC Capital)在內。
恩智浦的標準產品(standard products)業務負責生產離散元件如二極體、電晶體、MOSFET、ESD保護元件以及標準邏輯晶片，該業務部門營收占據該公司整體營收約20%。而中國近年來致力于扶植本土半導體產業，
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恩智浦 RF
- 在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發現，當需要給無線器件確定濾波器參數時，急需復習射頻基礎知識。如果沒有考慮濾波器類型和最低技術規格要求方面的基本要素，可能導致產品不能通過“測試”，結果產品又得重新開始設計，導致代價昂貴的生產推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產出的產品滿足客戶的生產標準和功能。事實上，這種知識有助于在提高產品在市場上的成功機會的同時，控制生產費用。 從基礎開始 在當今無線領域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關注濾波器的性能。如
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RF 微波濾波器
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發揮創造性。記住以下這八條規則，不但有助于加速產品上市進程，而且還可提高工作日程的可預見性。
規則1：接地通孔應位于接地參考層開關處
流經所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過回流通常流經相鄰的接地層或與信號線路并行布置的接地。在參考層繼續時，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過，如果信號線路從頂層切換至內部或底層時，回流也必須獲得路徑。
圖1就是一個實例。頂層信號線路電流下面緊挨著就是回流。當它轉移到底層時，回
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RF 寄生信號
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