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        qlc nand 文章 最新資訊

        中國半導(dǎo)體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

        •   中國砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人,國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出,今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能,預(yù)估有超過一半都將來自中國。   據(jù)SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠,當(dāng)中有10座設(shè)在中國,其中兩座生產(chǎn)存儲(chǔ)器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小,主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND   

        NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康

        •   蘋果iPhone 7已展開備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等,預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。   創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤態(tài)勢(shì)成形,SSD需求強(qiáng)勁,儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。   威剛董事長陳立白日
        • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

        從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)

        •   為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了,一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來?…,等等,問了那么多為什么,那我反問一個(gè)問題:你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎?    ?   一、Nand flash的特性   1、位翻轉(zhuǎn)   在 NAND 閃存是通過對(duì)存儲(chǔ)單元(Cell)進(jìn)行充電來完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的,存儲(chǔ)單元的閾值電壓就對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時(shí)候,通過將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對(duì)比來獲得其數(shù)據(jù)值。對(duì)SLC 而言,就只有兩種狀態(tài)和一個(gè)
        • 關(guān)鍵字: Nand  燒錄  

        中國存儲(chǔ)器“3+1”版圖初現(xiàn)

        • 存儲(chǔ)器是一個(gè)嚴(yán)格按照摩爾定律前進(jìn)、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè),想做起來太難,在過去的年月里,能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌,中國這次能否在存儲(chǔ)器市場(chǎng)占有一定規(guī)模呢?
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

        2016年第一季NAND品牌營收排行榜

        •   TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,在平均銷售單價(jià)下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下,第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%,已連續(xù)兩個(gè)季衰退。   2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響,通路顆粒合約價(jià)下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟(SSD)跌價(jià)幅度擴(kuò)大至13~18%。   TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示
        • 關(guān)鍵字: NAND  英特爾  

        下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì)非常缺

        •   全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應(yīng)。   慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高,市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會(huì)后,針對(duì)今年NAND Fl
        • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

        武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

        •   紅色供應(yīng)鏈來勢(shì)洶洶,外界原本認(rèn)為,陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地,不過有分析師預(yù)測(cè),陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。   巴 倫(Barronˋs)6日?qǐng)?bào)導(dǎo),美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱,中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份,Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
        • 關(guān)鍵字: 新芯  NAND  

        DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位

        •   全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。   全球個(gè)人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機(jī)增長放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。   高通曾表示,第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%,這是其三年來的最差業(yè)績(jī)。   將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星,也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會(huì)下降,一些分析師預(yù)測(cè)1-
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

        TrendForce:2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

        •   中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長近7倍。   TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
        • 關(guān)鍵字: Flash  NAND   

        蘋果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕

        •   蘋果已經(jīng)秘密與三星談下合作,在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時(shí)隔5年,蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會(huì)采用AMOLED屏幕。        先前蘋果不用三星閃存,是因?yàn)槿窍M陂W存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽,但是三星并不愿意做。如今臺(tái)灣供應(yīng)商發(fā)出了噴涂圖層工藝,三星有望使用這個(gè)技術(shù),來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標(biāo)準(zhǔn)。又因?yàn)檫@一工藝較為廉價(jià),所以三星比較重視。   使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
        • 關(guān)鍵字: 蘋果  NAND  

        傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單

        •   傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā),有意重啟對(duì)蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲(chǔ)器,過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。   據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo),日前業(yè)界表示,三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者,共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

        三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone

        •   韓廠積極打進(jìn)蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報(bào)導(dǎo),三星電子計(jì)畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone,這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。   韓國網(wǎng)站媒體ET News報(bào)導(dǎo),蘋果從2012年iPhone 5推出開始,就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體,在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

        武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃 著手3D NAND研發(fā)

        •   大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法,武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距,但將是大陸市場(chǎng)上的潛在最大對(duì)手。   據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。   韓聯(lián)社引述EE Times
        • 關(guān)鍵字: 新芯  NAND  

        存儲(chǔ)“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

        • 國內(nèi)大力扶持存儲(chǔ),各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小,但是為了存儲(chǔ)自主的未來,也值。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  3D NAND  

        DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營收下滑

        •   不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià),跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營收下滑了30%,當(dāng)季凈虧損9700萬美元,對(duì)未來季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。   美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào),當(dāng)季營收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。   美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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