- 研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業者在NAND Flash產業鏈的布局日趨完整，中國業者在NAND Flash產業地位也越來越關鍵。
TrendForce 旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
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NAND Flash SSD
- 摘要：關于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點，他們強調已經使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來! 近日某電子科技有限公司的客戶郵件反饋：使用我們的SmartPRO 6000F-Plus燒錄MICRON廠家的TSOP48封裝的Nand Flash MT29F2G08ABAEA，不良率比較高，甚至達到了10%的燒錄不良率，而燒錄SAMSUNG廠家
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SmartPRO NAND
- 半導體產業龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產處理器晶片的中國大連廠，轉型為生產最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達55億美元，預計于明年下半年開始量產。
根據TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新公布數據，2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產值高達66.7億美元，占全球產值29.1%，明年更可望達到全球NAND Flash產量的三分之一，成長幅度十分驚人。
DRAMeXchan
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Intel NAND
- 從一個經典明星案例到現在這種尷尬的路徑，這是中美兩國科技、全球經濟危機、產業變遷、英特爾戰略共同博弈下的一種結果。
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英特爾 Nand
- 半導體被列入重點培植產業，政府計劃性的補貼下，全球市占率的日益攀升，產品競爭力快速成長，直接威脅了臺灣、歐美廠商，全球主要晶圓代工業者已陸續在中國進行卡位戰。
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晶圓 NAND
- TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究顯示，由于中國大陸內需市場胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續攀升，預估今(2015)年中國內需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產值高達120億與66.7億美元，分別占全球產值的21.6%與29.1%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，從DRAM需求觀察，近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領域出貨量不斷增長。其中，聯想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，并穩居
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DRAM NAND
- 全球嵌入式系統解決方案領導者賽普拉斯半導體公司今日宣布推出面向高安全應用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應用的設計者一直使用帶有分區保護的NOR閃存存儲啟動代碼，并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統固件和應用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機頂盒、POS機、可穿戴設備和其他高安全應用提供帶有集成式分區保護特性的單一非易失性內存，可幫助用戶降低系統成本，提高系統的安全性。
賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
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賽普拉斯 NAND
- 《巴倫周刊》(Barron’s)報導指出，半導體廠商美光(Micron)盡管今年以來遭遇股價蒸發近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問世 的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機應用程式市場和大數據分析領域，料將大幅提升美光利潤率。
兩款晶片系與英特爾合作研發。前者料增進美光2016年營收與凈利，而后者料自2018年起占美光營收比明顯擴大。
有看多美光者預測，股價可能于1年間上漲逾6成，達每股30美元。較保守的假設為，1年間上漲
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美光 NAND
- 中國半導體研究機構芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導體產業會有重大新聞”，5 日正式發文，表示臺灣南亞科總經理高啟全將離職，加入中國紫光集團，負責半導體儲存業務。消息一出，果然在臺灣帶來震撼。外界也好奇，近來動作頻頻的紫光集團，究竟有什么背景與能耐，在半導體行業到處“興風作浪”?
■紫光發展簡歷
依紫光集團官網簡介，紫光的前身是中國清華大學在 1988 年所成立的科技開發公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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紫光 NAND
- 東芝(Toshiba)財報不實風波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門，但日媒體日經Tech-On訪問日本半導體界人士，卻表示長期終將損害快閃存儲器產品競爭力。
目前東芝半導體事業主力NAND存儲器產品，由于移動裝置需求持續成長，銷售量不斷增大，為日本少數仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產品;但這項產品需要大量資金持續投資才能保持領先，受企業財務狀況影響比其他半導體產品更大。
現在東芝碰上財務問題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說新社長室町正志出身半導體事業，對這個
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東芝 NAND
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著先進制程發展，該公司產品開發有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 內存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發與產能，市場似乎對內存前景不具信心，當日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。
美光財務長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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美光 NAND
- TrendForce旗下記憶儲存事業處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業者對eMMC/eMCP、固態硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現。各家業者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業者的3D-NAND Flash，也預期陸續自今年第四季開始小量生產。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，受到整體經濟環境沖擊，智慧型手機、平板電
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英特爾 NAND
- TrendForce旗下記憶儲存事業處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業者對eMMC/eMCP、固態硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現。各家業者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業者的3D-NAND Flash，也預期陸續自今年第四季開始小量生產。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，受到整體經濟環境沖擊，智慧型手機、平板電
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NAND 英特爾
- NAND閃存技術進入發展的死胡同，工程師開始集中開發3D NAND
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東芝 NAND
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