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        nand-flash 文章 最新資訊

        NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

        •   日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡,一年后,繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是,在制造業(yè)方面存在一線希望,即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析,在日本發(fā)生災(zāi)害一年后,由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升,NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。   受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%,位于距離震中500英里的四日市。在地震之后,這兩家工
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

        2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告,由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降,2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。   2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長,從11.6億美元上升到11.7億美元,如圖2所示。   第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因,是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠,造成硬盤短缺,導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括:在全球經(jīng)濟(jì)黯
        • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  

        蘋果轉(zhuǎn)單海力士 三星NAND營收比重略減

        •   市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出,全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響,2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%,DRAM營收則微增,使NANDFlash佔該公司記憶體營收比重降至38%,佔全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。   反觀海力士,其NANDFlash佔公司營收比重則維持在30%,佔全球NANDFlash營
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

        Flash單片機(jī)自編程技術(shù)介紹

        • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此,只有一個片上Flash存儲器模塊
        • 關(guān)鍵字: 介紹  技術(shù)  編程  單片機(jī)  Flash  

        利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

        • 利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
          嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高,開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù),以延長系統(tǒng)的使用周期,
        • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  遠(yuǎn)程  更新  嵌入式  實現(xiàn)  NAND  Flash  利用  

        固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

        •   1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會進(jìn)一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計,在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。   隨著Intel Ivy Bridge處
        • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

        基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案

        • 基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案,摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法,并完成了設(shè)計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級,MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展,因此往往需要對最初的設(shè)計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
        • 關(guān)鍵字: 仿真器  設(shè)計  方案  在線  Flash  MCU  內(nèi)部  基于  

        NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

        • NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
        • 關(guān)鍵字: 閃存  設(shè)計  映射  存儲器  NAND  適應(yīng)  

        一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方法

        Flash存儲器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

        •  Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開機(jī)后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采
        • 關(guān)鍵字: Flash  F040  040  29F    

        基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

        • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
        • 關(guān)鍵字: 存儲  管理  TMS320F28x  實現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

        并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用

        • 并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
        • 關(guān)鍵字: 開發(fā)  應(yīng)用  SOPC  Flash  NOR  并行  

        基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計

        • 基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計,現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面,從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求:大容量,高速度,斷電保護(hù),體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
        • 關(guān)鍵字: 記錄儀  設(shè)計  數(shù)據(jù)  高速  Flash  大容量  基于  

        大容量FLASH在單片機(jī)臺標(biāo)系統(tǒng)中的應(yīng)用

        • 1 引 言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)兩者優(yōu)點的新型非易失存儲器。由于它可在線進(jìn)行電可擦除和編程,芯片每區(qū)可獨立擦寫至少10,000次以上,因而對于需周期性地修改被儲存的代
        • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  應(yīng)用  臺標(biāo)  單片機(jī)  FLASH  大容量  

        全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元

        •   據(jù)媒體報道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達(dá)到了34.6%。   集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%,而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。   集邦科技指出,三星電子
        • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  
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        nand-flash介紹

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