- 外電報導，全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據彭博社調查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查，分析師原先預期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統開發過程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開發是非常重要而又閑難的一個環節。因為不能確定硬件系統是否正常丁作，而后續應用開發都是以此為基礎。在實際開發中，為了提高開
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設計 應用 嵌入式 Flash ISP 支持
- 根據市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 報告指出，蘋果產品在2011 年第四季消耗了容量總數高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
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蘋果 NAND
- 日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協商，且日本政府扮演關鍵要角。內存業者透露，東芝在發展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
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東芝 NAND
- μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關鍵問題,引言 在作為國家863計劃子項目挖掘機智能化控制系統的開發中，出現了智能化挖掘機軌跡控制系統不按照預先設定好的軌跡運行和嵌入式實時多任務操作系統mu;C／OS-Ⅱ調度紊亂等失控問題。該智能化系統中采用了mu;C
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關鍵 問題 運行 存儲器 DSP Flash C/OS-II
- 一、概述近年來隨著國家對可再生能源扶持政策的進一步出臺，可再生能源特別是風力發電呈現蓬勃發展的趨勢，國...
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FLASH PLC 風電控制
- 力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產能維持DRAM的技術發展，并于明年起全數轉入30nm 4Gb生產，而空出的產能將會以NAND FLASH填補，后續技術發展的重點也轉移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術，待3D-IC以及TSV的技術成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區各技術領域最完整之晶圓廠。
隨著力晶正式宣布將產能逐步擴大至Flash產品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產品，希望明年標準
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力晶 NAND
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查，因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預期而下滑，終端產品銷售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。
展望NAND Flash后市，集邦科技認為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應使得SSD產品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題，因此，預
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NAND SSD
- Flash編程器的FPGA實現,1 引言 閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優點，廣泛應用于通訊設備、辦公設備、家用電器、醫療設備等領域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數據參數的特性，可將其作為具有
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實現 FPGA 編程器 Flash
- 保密的重要性對電子系統而言，FPGA的保密性極其重要。圖1列出了兩個系統設計的示意圖，左邊為1995年所作...
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FLASH FPGA
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，隨著部份系統產品客戶自9月起，已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現止跌回穩的狀況。
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集邦科 NAND 記憶卡
- JTAG接口在線燒寫Flash的實現,為了解決TMS320VC55X 系列DSP 系統程序代碼的保存問題，設計了一種利用JTAG 接口，在線燒寫Flash 并實現自舉啟動的方法。這種在線編程的方法利用并行外部存儲器加載(EMIF)接口將TMS320VC5509 和Flash 芯片相連接， 通
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實現 Flash 在線 接口 JTAG
- K9F6408U0A是三星公司生產的與非型64兆位快閃存儲器，它具有工作電壓低、擦寫速度快、體積小等優點。SPDS202...
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數碼錄音 FLASH 寄存器
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