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        nand-flash 文章 最新資訊

        存儲器產業群雄割據時代將再度來臨

        •   隨著存儲器容量越來越大,NANDFlash產業制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發。
        • 關鍵字: 三星  存儲器  NAND  

        納米制程遇瓶頸 業者紛紛投入3D存儲器的開發

        •   隨著存儲器容量越來越大,NAND Flash產業制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發。  
        • 關鍵字: 爾必達  NAND  

        C6000系列DSP Flash二次加載技術研究

        • C6000系列DSP Flash二次加載技術研究,引言
          TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力,在嵌入式系統中有著廣泛的應用。由于程序在DSP內部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度,通常需要將程序從外部加載到DSP內部運行。由于C6000系列DSP均沒有
        • 關鍵字: 技術  研究  加載  Flash  系列  DSP  C6000  

        今年游戲主機NAND flash內存密度提高40%

        •   內存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環境。   今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%,達 123MB。   
        • 關鍵字: Sony  NAND  

        LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術

        •   LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術,用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態 NAND 閃存,能夠在電源發生故障的時候自動將高速緩存中的數據轉移到閃存中,從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節約相關的硬件維護成本,從而實現更環保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
        • 關鍵字: LSI  NAND  

        2011年NAND閃存密度將增長40%以上

        •   據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件,但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。   
        • 關鍵字: 索尼  NAND  

        三星電子韓國新NAND廠預計9月投產

        •   三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說,新廠編號為“Line-16”,主要生產NAND芯片。   2010年5月時,三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工,建立新的工廠。此前三星曾透露說,Line-16工廠月產20萬片12寸圓晶。
        • 關鍵字: 三星  NAND  

        東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導體工廠

        •   日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠,以應對智能手機和平板電腦的快速發展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體,工廠名稱為“Fab 5”。
        • 關鍵字: 東芝  NAND  

        東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產

        •   東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
        • 關鍵字: 東芝  NAND  

        三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

        •   據韓國媒體報導,2011年第1季NAND Flash市場上,日廠東芝(Toshiba)猛力追擊,以市占率0.3%差距,威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上,三星仍坐擁壓倒性的市占率。
        • 關鍵字: 三星  Flash  

        基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

        • 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開發環境下,實現ECC校驗功能。測試結果表明,該程序可實現每256 Byte數據生成3 Byte的ECC校驗數據,能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤,對于1 bit錯誤
        • 關鍵字: Flash  FPGA  NAND  ECC    

        支持Flash的單板計算機嵌入式系統

        • 支持Flash的單板計算機嵌入式系統,1 引言  在實際開發中,為了提高開發效率,大多是采用以一個與目標板硬件相似的BSP為模板,并在此基礎上修改移植。在這個過程中.除了CPU以外,另一個重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件。  2 系統介紹  采
        • 關鍵字: 嵌入式  系統  計算機  單板  Flash  支持  

        蘋果三星風波引發四大半導體廠商主演四角戀大戲

        •   最近舉辦的Semicon West2011半導體業界大會上,三星與蘋果之間的知識產權爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前,三星正準備于8月份開始量產蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級,使其產能能夠在NAND或邏輯芯片產品之間自由切換,不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續拓展自己的代工業務。
        • 關鍵字: 三星  NAND  

        東芝縮小與三星在NAND閃存差距

        •   據IHS iSuppli公司的研究,東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆,這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商。  
        • 關鍵字: 東芝  NAND  

        第一季度NAND閃存領域競爭加劇

        •   據IHS iSuppli公司的研究,2011年第一季度NAND閃存領域爭奪頭號排名的競爭加劇,排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商。 
        • 關鍵字: NAND  閃存  
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        nand-flash介紹

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