- 摘要：從一種軍用板卡的實際需求出發，對SPI接口在設計中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數據的方法進行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設計原理和方法，具有
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T1024 FLASH 1024 25T
- Flash損耗均衡的嵌入式文件系統設計,引言
嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理的、針對嵌入式應用
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系統 設計 文件 嵌入式 損耗 均衡 Flash
- 根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
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平板電腦 NAND
- 行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發難，出現供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛戰，DRAM廠12寸廠產能陷入苦尋不到避風港困境。
存儲器業者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產業致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產品是業內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
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Hynix NAND
- 南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性內存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
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海力士 NAND
- 存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動，2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關，NAND Flash市場布局也成功跨足固態硬盤(SSD)市場，面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當下，金士頓創辦人之一的杜紀川表示，認同孫大衛認為臺灣 DRAM產業要集成才有活路的策略，唯有計畫性地將各方力量做結合，才能讓臺灣DRAM廠免受全球經濟、市場波動沖擊。
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NAND DRAM
- 由于蘋果等大型企業的需求不夠強勁，導致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。
今年5月的NAND芯片價格的降幅已經超過15%，現貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家，但需求提升不像往年的第二季度那么強勁。
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ipad NAND
- 第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價大跌超過10%，內存模塊廠表示，合計整個5月現貨報價跌幅達20%，合約價合計跌幅也超過15%，反映終端需求確實需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認同威剛董事長陳立白的基調，預期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發生。
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三星 NAND Flash
- flash接口電路的實現,0引言
我們在進行嵌入式系統設計的過程中，根據需求，要設計出特定的嵌入式應用系統，而嵌入式應用系統的設計包含硬件系統設計和軟件系統設計兩個部分，并且這兩部分設計是互相關聯、密不可分的，嵌入式應用系
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實現 電路 接口 flash
- 全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現砍單情況，記憶體零售和系統端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩在水準之上。
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NAND DRAM
- 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術，它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
關鍵詞：DDR NAN
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嵌入式 接口 設計 高性能 閃存 DDR NAND 基于
- 摘要：為了解決目前記錄系統容量小、存儲速度低的問題，采用性能優良的固態NAND型FLASH為存儲介質，大規模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術和流水線技術實現了多片低速FLASH時高速數據的存儲，提高了整
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FLASH NAND 大容量 存儲
- 存儲器是隨著計算機而發展起來的一種專用電子部件，用于保存數據和程序，傳統上計算機的主存儲器稱Memory，外部設備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進，存儲器獲得了長足的發展。
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存儲器 NAND 201105
- 數年來固態硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數據硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態硬盤將成為市場的主流，并預期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
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NAND SSD
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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