flash接口電路的實現
加入技術交流群
0引言
我們在進行嵌入式系統設計的過程中，根據需求，要設計出特定的嵌入式應用系統，而嵌入式應用系統的設計包含硬件系統設計和軟件系統設計兩個部分，并且這兩部分設計是互相關聯、密不可分的，嵌入式應用系統的設計經常需要在硬件和軟件設計之間進行權衡與折中。因此，這就要求嵌入式系統設計者具有較深厚的硬件和軟件基礎，并具有熟練應用的能力。在整個設計過程中，硬件設計是系統設計的基礎和核心，而各功能部件在整個設計中的調試又是該環節的重點和難點。本文詳細介紹嵌入式系統Flash存儲器的接口電路的調試。
1 Flash存儲器接口電路的引腳信號及各項特性
1.1 Flash存儲器接口電路的特點
Flash存儲器是一種可在系統（In-System）中進行電擦寫，掉電后信息不會丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區在系統編程（燒寫）、擦除等特點，并且可由內部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在各種嵌入式系統中得到了廣泛的應用。作為一種非易失性存儲器，Flash在系統中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統掉電后需要保存的用戶數據等。常用的Flash為8位或16位數據寬度，編程電壓為單3.3V。主要有ATMEL、AMD、HYUNDAI等生產廠商，他們生產的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式，可通用。
1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性
本文以Flash存儲器HY29LV160為例，簡要描述一下Flash存儲器的基本特性：
HY29LV160的單片存儲容量為16M位（2M字節），工作電壓為2.7V～3.6V，采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝，16位數據寬度，可以以8位（字節模式）或16位（字模式）數據寬度的方式工作。
HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統的編程與擦除操作，通過對其內部的命令寄存器寫入標準的命令序列，可對Flash進行編程（燒寫）、整片擦除、按扇區擦除以及其它操作。
HY29LV160的邏輯框圖、引腳分布及信號描述分別如圖1和表1所示：
圖1 HY29LV160引腳分布（TSOP48封裝）
表1 HY29LV160的引腳信號描述
引 腳 | 類型 | 描 述 |
A[19:0] | I | 地址總線。在字節模式下，DQ[15]/A[-1]用作21位字節地址的最低位。 |
DQ[15]/A[-1] DQ[14:0] | I/O 三態 | 數據總線。在讀寫操作時提供8位或16位數據的寬度。在字節模式下，DQ[15]/A[-1]用作21位字節地址的最低位，而DQ[14:8]處于高阻狀態。 |
BYTE# | I | 模式選擇。低電平選擇字節模式，高電平選擇字模式 |
CE# | I | 片選信號，低電平有效。在對HY29LV160進行讀寫操作時，該引腳必須為低電平，當為高電平時，芯片處于高阻旁路狀態 |
OE# | I | 輸出使能低電平有效輸出使能，低電平有效。在讀操作時有效，寫操作時無效。 |
WE# | I | 低電平有效寫使能，低電平有效。在對HY29LV160進行編程和擦除操作時，控制相應的寫命令。 |
RESET# | I | 硬件復位，低電平有效。對HY29LV160進行硬件復位。當復位時，HY29LV160立即終止正在進行的操作。 |
RY/BY# | O | 用就緒/忙狀態指示。用于指示寫或擦除操作是否完成。當HY29LV160正在進行編程或擦除操作時，該引腳位低電平，操作完成時為高電平，此時可讀取內部的數據。 |
VCC | -- | 3.3V電源 |
VSS | -- | 接地 |
DIY機械鍵盤相關社區:機械鍵盤DIY
評論