Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

　　Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。

　　據(jù)Hynix透露，成功實(shí)現(xiàn)大容量MLC NAND芯片20nm制程化的關(guān)鍵在于air-gap技術(shù)的應(yīng)用，這種技術(shù)與邏輯芯片互連層用low-k電介質(zhì)上應(yīng)用的air-gap技術(shù)非常類似，可以減小字線間(簡(jiǎn)單說就是NAND各控制柵極的連線)的相互干擾。通過采用尺寸較大的air gap結(jié)構(gòu)，Hynix成功將閃存芯片中的信號(hào)干擾降低到了較小的水平。

　　據(jù)Hynix介紹，airgap減小線路間干擾的效果還與airgap的形狀和所處的位置(在芯片中的高度)有很大的關(guān)聯(lián)。因此，Hynix選用了方形或橢圓形狀的airgap，并且模擬了分別采用這兩種不同形狀的airgap在處于不同高度位置(指airgap結(jié)構(gòu)下部到浮柵下端的距離在0-200埃之間變化)時(shí)的降噪作用變化，最后，他們發(fā)現(xiàn)采用方形airgap，并且與浮柵下端的高度差為0埃時(shí)的降噪效果最好。

　　另外，Hynix還透露其制作這種20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片時(shí)，字線及位線(簡(jiǎn)單說就是連接NAND晶體管漏極的金屬線)采用的光刻技術(shù)是193nm波長(zhǎng)ArF光源液浸式光刻系統(tǒng)+自對(duì)準(zhǔn)式雙重成像技術(shù)(原文為spacer patterning technology，其實(shí)就是人們常說的SADP技術(shù)的另一種叫法而已)。