- 根據Gartner發布的報告，該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%，現在預期將縮減1%。另外，Gartner原先預估今年成長113%，現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產業創造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設備采購主要的重點將在于產能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
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半導體設備 NAND
- 2010年全球半導體市場成長幅度超過30%，這是在歷經過去幾年全球不景氣之后，經濟復蘇所展現出的成果。而據Semico預測，2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數據代表著半導體市場正在回歸正常軌道。
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東芝 半導體 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座，在擴產速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫，美光表示不擔心供過于求，在產能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態。
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美光 NAND
- 英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術工業展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH? 技術。依靠SOLID FLASH技術，英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類拔萃的非接觸式性能有機結合的安全產品供應商。
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英飛凌 FLASH
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產業終于出現曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內將此技術導入量產，讓臺灣正式加入NAND Flash產業戰局。
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NAND 9納米
- 亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。
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東芝 NAND
- 華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。
東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產能，減少20%的產出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產，總產出約占市場產能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。
接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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東芝 NAND
- 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優點，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運行
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解決方案 編程 存儲器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系統通過地址映射方式實現片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統的設計中，經常要使用片外存儲器擴充系統存儲空間。特別是當DSP的片內數據存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分數據，如常量、原始數據庫等存儲到片外的存儲器中，從而節省DSP芯片內部
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方式 實現 FLASH 擦寫 映射 地址 DSP 嵌入式 系統 通過
- 基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構架的模數混合的FPGA，即在數字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分，解決了傳統模擬電路和FPGA分離給設計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產品的體積。FPGA的可編
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- 2010年在半導體存儲器業界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開發也越來越活躍。
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存儲器 NAND
- Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進行擦除/編程，但是，要求運行程序代碼的存儲區與待編程的存儲區不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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技術 編程 單片機 Flash
- C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術, DSP是針對實時數字信號處理而設計的數字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優點，非常適合應用于嵌入式實時系統。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
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MBM29LV800BA 接口 技術 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器
- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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應用材料 NAND
- 集邦科技發布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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NAND 20nm
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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