大陸發展存儲器大計三箭齊發　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。

　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術改朝換代之際，大陸直接切入新世代3D NAND技術，有機會另辟一片天。大陸有鑒于過去扶植晶圓代工產業經驗，這次為讓存儲器產業落地生根，采取集中資源生產策略，不僅避免資源分散，并杜絕惡性競爭導致產能供過于求情況。

　　大陸過去有眾多地方政府和企業集團爭取扮演存儲器生產中心角色，包括合肥市政府、中芯國際及京東方等，后來由武漢新芯出線，然隨著紫光集團加入戰局，大陸原本以武漢新芯為主軸的存儲器發展大計，出現架構性的改變。2016年紫光集團與武漢新芯合資成立長江存儲，武漢新芯成為長江存儲旗下100%持股的子公司，并對于未來存儲器生產達成初步分工。

　　長江存儲將主要負責3D NAND和DRAM生產制造，武漢新芯先前宣布動工的12吋新廠，其實是隸屬于長江存儲旗下，該座廠房分為三期，首期建設將于2016年底啟動興建，第二期預計2018年完成興建，第三期在2019年完成，總規劃產能為單月30萬片，總投資額240億美元。

　　長江存儲3D NAND技術主要來自于飛索(Spansion)，飛索在2014年底賣給Cypress之后仍保持獨立營運，由于飛索過去與三星簽下Charge Trap技術授權合約，每年為飛索帶來豐厚的授權金，而Charge Trap正是3D NAND技術關鍵，大陸透過與飛索合作取得跨入3D NAND技術的門票。

　　長江存儲規劃2017年底量產32層堆疊3D NAND芯片，這將是大陸首顆自制的3D NAND芯片，盡管相較于三星、東芝目前已量產64層堆疊技術，預計2017年底可進入72層或96層技術，大陸3D NAND技術仍是約落后2個世代，但大陸在存儲器自制總算開始沖刺并醞釀超車。

　　至于武漢新芯未來將專職NOR Flash和邏輯代工業務，旗下12吋廠月產能約3萬片，其中有超過2萬片是生產NOR Flash芯片，主要客戶為飛索和北京創新兆易(GigaDevice)。目前武漢新芯在邏輯代工產能仍不大，主要客戶為已并入北京君正集成的CIS大廠豪威(OmniVision)。現階段豪威CIS除了由臺積電生產，華力微和武漢新芯分別負責前段和后段制程。

　　事實上，長江存儲規劃終極月產能30萬片，不僅生產3D NAND芯片，DRAM芯片亦是其中一環，業界認為隨著美光解決購并華亞科一案，以及完成讓南亞科入股事宜后，下一階段美光將與紫光建立策略聯盟，雙方將針對DRAM技術及產能進行合作，因此，長江存儲30萬片月產能將包括DRAM產品。