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        nand flash 文章 進入nand flash技術社區

        突破瓶頸,英特爾重塑數據中心存儲架構

        • 2018年12月11日,以“智數據·創未來”為主題的2018中國存儲與數據峰會在北京拉開帷幕。作為中國數據與存儲行業頂級的交流平臺,本次峰會匯集了全球近百位來自產業界、學術界的專家,就數據洪流時代下,企業如何實施數據戰略、深挖數據價值,變數據資源為實現更廣泛商業價值的數據資產等話題展開深入探討。
        • 關鍵字: 數據  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

        AI芯天下丨DRAM價格將持續下跌

        •   全球DRAM市場上,三星一家獨大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫。  1  DRAM連漲之后持續下跌  在DRAM內存漲價超過9個季度之后,內存芯片價格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現貨價格跌了10%,預計2019年還會繼續跌20%。  受此影響,全球第四大內存芯片廠商南亞科
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

        • 對于可擦除的、非易失性的存儲,業界已經在兩項技術上進行了標準化:Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面,EEPROM被視為過時的方案,但它在一些具有特定需求的應用中提供顯著的優勢,例如當數據的保留被視為安全至上時,EEPROM將是首選,因此十分適用于汽車電子等領域。
        • 關鍵字: EEPROM  Flash  汽車  1級  201812  

        存儲領域競爭加劇,3D NAND蝕刻逐步明朗化

        •   3D NAND的出現也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進步,厚度開始不斷降低,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因為工藝越先進,NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠商就需要采取額外手段彌補這一問題,這必然會提高成本,以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優勢。    3D NAND將思路從提高制造工藝轉
        • 關鍵字: 存儲  NAND  

        晉華事件透視:存儲器壟斷暴利之痛如何終結?

        • 壟斷加劇供求失衡,導致價格上漲,壟斷導致的暴利,是目前全球存儲器行業面臨的最大問題。
        • 關鍵字: 存儲器  NAND  

        存儲器原廠Q3業績搶眼,但漲價優勢不再,Q4風光難續

        •   前言:2018年Q3出貨旺季,在存儲器Bit出貨量增加帶動下,存儲器原廠業績搶眼。然而,存儲器漲價優勢不再,Q4財報恐難抵下滑之勢。  存儲器原廠Q3財報搶眼,但NAND價格大跌超60%,引原廠產能“緊急制動”  2018年以來,Flash原廠持續擴大64層3D TLC NAND供貨,且以256Gb和512Gb供貨為主,再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用,導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季,NAND Flash價格也依然表現跌勢。據中國閃存市場ChinaFlashMarket
        • 關鍵字: 存儲器  NAND  

        產業高點已過,2019年閃存價格恐跌40%

        •   CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿易戰壓縮的情況下,NANDFlash行業供過于求的情況持續加劇,各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長,也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系,第三季成長幅度來到20-25%,整體第三季閃存產值達到172億美元,季成長約為5%,值得注意的是,也是近三年來在第三季度旺季期間表現最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
        • 關鍵字: 閃存  3D-NAND  

        兆易創新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產品領域通力合作

        •   日前,業界領先的半導體供應商兆易創新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產品可通過Digi-Key實現全球即時發貨,并在交貨周期及產品價格上更貼近客戶需求。  兆易創新的SPI NOR Flash產品容量目前涵蓋512Kb至512Mb,并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產品,以及業界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達8Mb)。 NAND Flash產品包含SPI和
        • 關鍵字: 兆易創新  NAND   

        3D NAND技術發展迅速,SSD取代HDD硬盤明年可待

        •   NAND Flash歷經兩年的漲價后,在2018年價格開始大幅下滑,據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據,截止到10月底,2018年NAND Flash綜合價格指數已累積下滑高達63%,其中主流SSD價格跌幅也高達約50%。  Flash原廠3D NAND之戰加劇,使得SSD價格更加親民,據中國閃存市場ChinaFlashMarket最新價格,消費類零售品牌SSD 240GB容量價格已下滑至31美金,480GB容量價格下探至58美金。低端白牌SSD產品的市場報價更是分別低至25美金(24
        • 關鍵字: NAND  HDD  

        賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

        •   全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼:CY)日前宣布,與海力士半導體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協議約定在前五年中,合資公司將生產及銷售賽普拉斯現有的SLC NAND閃存系列產品,并將繼續投資于下一代NAND產品。合資公司總部設立在香港,海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份。  賽普拉斯總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury表示:“合資公司將會長期為客戶提
        • 關鍵字: 海力士  NAND  

        存儲產業需求隨摩爾定律放緩,價格持續上漲

        • 存儲芯片市場在經過長達一年半時間的猛漲后,部分內存芯片的價格突然下跌,加之韓國三星電子近期發布的令人失望的2017年盈利報告,導致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
        • 關鍵字: 摩爾定律  NAND  

        國內廠商在存儲行業緊鑼密鼓,有望實現“彎道超車”

        • 中國存儲器產業起步較晚,我國作為全球最重要的存儲器市場,在國家產業政策扶持以及大量資本投入的背景下,通過自主研發關鍵技術與引入半導體巨頭,有望實現存儲器產業的“彎道超車”,在全球競爭中占有一席之地。
        • 關鍵字: DRAM  NAND  存儲器  

        2018年NAND Flash價格跌幅超過50%,背后原因為何!

        •   隨著智能型手機、平板、PC等消費類電子擴大普及,以及大數據、安防監控、物聯網、人工智能、5G網絡、無人駕駛等熱潮的興起,數據存儲需求與日俱增。據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據,預計2018年全球存儲市場規模將達到1500億美元。  在9月19日的中國閃存市場峰會(CFMS2018)上,央視記者采訪了存儲產業鏈內的知名企業,比如:西部數據、長江存儲、慧榮、江波龍、群聯、大華、元禾華創等,同時業內大咖也分享了對存儲產業發展的看法。  央視財經頻道精彩回顧:原廠3D閃存芯片產出增加存儲容量
        • 關鍵字: NAND  長江存儲  

        西部數據擴展視頻存儲和分析產品系列 滿足終端智能視頻的動態需求

        •   北京,西部數據公司今日發布三個安防監控存儲解決方案更新,擴展了其用于現代監控市場的數據存儲設備系列。這一系列更新包括:業內率先發布的用于監控的工業級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動卡系列,以及使OEM及系統集成商能夠主動管理其存儲子系統、維持運行優化狀態的新款設備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)。  <左1:西部數據公司中國區產品市場總監-張丹女士、左2:西部數據公司
        • 關鍵字: 西部數據  NAND  

        提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考慮因素

        •   前言  多年來,全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術。其用途已經從單純的閃存驅動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦,如今又擴展至云端存儲操作所需固態存儲記憶體。隨著時間的推移,結構上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求,而且此技術已經驗證,可提供高性能,低功耗,并和以前的固態存儲技術相比,每存儲單位比特成本更低,其價值不言而喻。  最初,NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術來縮小尺寸,從而增加存儲密度,降低相對應成本。遺憾的是,2D 或平面 NAND 閃存
        • 關鍵字: NAND  閃存  
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        nand flash介紹

         Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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