ICInsights最新報告顯示，大陸的集成電路生產仍遠低于政府的目標。報告指出，2018年大陸半導體市場為......
關鍵字：
半導體 晶圓 NAND
盡管隨著主要存儲器業者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃，2019年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續高于各業者在DRAM與晶圓代工業務上的支出。 ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業務資本支出金額的219億美元。
關鍵字：
DRAM 晶圓 Flash
美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認購期權，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies,
LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權的意向。 “收購 IM Flash 將使美光加速研發進程，并優化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra
說。“猶他州的工廠將幫助我們提升生產制造柔性，配備高技術型人才隊伍，以推動 3D Xpo
關鍵字：
美光，Flash
根據韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產業從2018年年底迎來低迷，存儲器產品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產量以來，雖然三星仍然穩坐半導體產業頭把交椅，但是其盈利能力已經受到質疑。 無獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?
關鍵字：
存儲器，NAND
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND
Flash市場經歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現仍難見起色，預計產能過剩難解。在此情況下，供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。 DRAMeXchange調查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND
Flash總體資本支出下調近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
關鍵字：
NAND 東芝
存儲器一直被看成是半導體行業的晴雨表，它的表現也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至 2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
關鍵字：
存儲器 NAND
閃存是當今數據存儲的重要介質之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關鍵。不過，因為中國企業中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經過了近十年的研發積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構，但和英特爾最早發明的NOR完全不是一回事
關鍵字：
NOR NAND 存儲器
半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發生太大的變化，但是這種格局正在發生變化。不僅Lam
Research、ASML和東京電子的位次發生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危。 自1990年以來，應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄。 2016年，應用材料公司的市場份額比Lam
關鍵字：
ASML NAND
2018年12月11日，以“智數據·創未來”為主題的2018中國存儲與數據峰會在北京拉開帷幕。作為中國數據與存儲行業頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產業界、學術界的專家，就數據洪流時代下，企業如何實施數據戰略、深挖數據價值，變數據資源為實現更廣泛商業價值的數據資產等話題展開深入探討。
關鍵字：
數據 存儲 傲騰 QLC 3D NAND
全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK
Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫。 1 DRAM連漲之后持續下跌 在DRAM內存漲價超過9個季度之后，內存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現貨價格跌了10%，預計2019年還會繼續跌20%。 受此影響，全球第四大內存芯片廠商南亞科
關鍵字：
DRAM NAND
對于可擦除的、非易失性的存儲，業界已經在兩項技術上進行了標準化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時的方案，但它在一些具有特定需求的應用中提供顯著的優勢，例如當數據的保留被視為安全至上時，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車電子等領域。
關鍵字：
EEPROM Flash 汽車 1級 201812
3D NAND的出現也是因為2D
NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本，以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優勢。 3D NAND將思路從提高制造工藝轉
關鍵字：
存儲 NAND
壟斷加劇供求失衡，導致價格上漲，壟斷導致的暴利，是目前全球存儲器行業面臨的最大問題。
關鍵字：
存儲器 NAND
前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業績搶眼。然而，存儲器漲價優勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢。 存儲器原廠Q3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產能“緊急制動” 2018年以來，Flash原廠持續擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現跌勢。據中國閃存市場ChinaFlashMarket
關鍵字：
存儲器 NAND
CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿易戰壓縮的情況下，NANDFlash行業供過于求的情況持續加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
關鍵字：
閃存 3D-NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473