- 據報導， Nor Flash 生產大廠兆易創新(Gigadevice)搶進 Nor Flash 市場，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創新每月 2.5 萬片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產能，進一步威脅臺灣大廠旺宏與華邦電。
不過，根據《科技新報》獨家取得的消息，中芯國際供應兆易創新的產能，僅為每月一萬片。雖然對當前市場的供貨有所幫助，但是對價格的沖擊，短期可能有限。
存儲器業者透露表示，預定 2018 年第 1 季在兆易創新獲得中芯國際支持的產能陸續投片，
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兆易創新 Flash
- 東芝(Toshiba)9日公布財報，受惠于存儲器需求暢旺，營益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲器。
法新社、路透社、金融時報報導，東芝發布本財年第二季(7~9月)財報，營收年增2.4%至1.24萬億日圓，營益飆升76%至1,351億日圓(12億美元)，高于路透訪調估計的1,245日圓。不過該季仍呈現虧損，凈損1,001億日圓。
東芝營益大增，主因存儲器表現強勁，不過東芝已經同意出售半導體事業子公司“東芝存儲器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團，代價
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東芝 Flash
- 11月9日消息，據國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內存芯片業務強勁業績的驅動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內存芯片業務以180億美元對外出售。
處于困境狀況的這家日本工業巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。
這個業績好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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東芝 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業領域有成，將推出影像監控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業端、消費性固態硬碟(SSD)領域，也積極推動工業領域應用，日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 3D NAND
- 隨著信息技術的發展，信息的載體-芯片的使用也越來越多了，隨之而來的芯片安全性的要求也越來越高了，各個芯片廠商對芯片保密性要求越來越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經常有客戶打電話過來問，這個芯片加密了還能不能用啊。本文通過對芯片的加密的介紹來看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果。 一、Flash類型芯片的加密 Flash類芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫”以及“擦除”操作，通過
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芯片 Flash
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業領域有成，將推出影像監控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業端、消費性固態硬碟(SSD)領域，也積極推動工業領域應用，日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 NAND
- 據IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
此外，IC Insights同時調稿對O-S-D(光電子，傳感器/執行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產業整體預計增長達20%，比年中預期調高5個百分點。
2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
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DRAM NAND
- CAM350不可不知的兩大應用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線路PAD 間距不滿足制程能力時；當資料有大面積銅箔覆蓋，線路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內，且外型尺寸又較大時...可借鑒本文的處理方法
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Flash CAM350 PAD
- DRAM/NAND都是啥？科普內存和硬盤的區別-現如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存儲器
- 援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產線數周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。
DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產量。PCGamesN網站預估假設這段停產時間正常生產，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。
近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產
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東芝 NAND
- DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現價格瘋漲現象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在電子行業已經得到了廣泛的應用，然而在生產過程中出現壞塊和在使用過程中會出現壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數，如tREA(讀信號低電平到數據輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統為器件施加適當的控制激勵，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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NAND magnum
- DRAM與NAND的區別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區別
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！ ?989年，東芝公司發表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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Nand Flash 東芝
- 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數人所想象的更短許多...
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3D NAND 摩爾定律
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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