nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。　　手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層　群聯(lián)準(zhǔn)備好了

　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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美光任命Derek Dicker為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理。　　在此職位上，Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細(xì)分市場中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報。　　Dicker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗，包括在 Intel、
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旺宏NAND論文獲國際肯定

　　內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。　　旺宏強(qiáng)調(diào)，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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讓汽車更智能，適用于汽車遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

　　被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來描繪下一代汽車發(fā)展藍(lán)圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來的發(fā)展方向。　　例如，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
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圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

中國存儲器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何?
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過于求。　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。　　三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進(jìn)動態(tài)
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兆易創(chuàng)新獲中芯支援?dāng)U產(chǎn)Nor Flash 短期恐對價格沖擊有限

　　據(jù)報導(dǎo)， Nor Flash 生產(chǎn)大廠兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進(jìn) Nor Flash 市場，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進(jìn)一步威脅臺灣大廠旺宏與華邦電。　　不過，根據(jù)《科技新報》獨家取得的消息，中芯國際供應(yīng)兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能，僅為每月一萬片。雖然對當(dāng)前市場的供貨有所幫助，但是對價格的沖擊，短期可能有限。　　存儲器業(yè)者透露表示，預(yù)定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片，
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東芝營益飆升近80% 將加碼投資Flash

　　東芝(Toshiba)9日公布財報，受惠于存儲器需求暢旺，營益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲器。　　法新社、路透社、金融時報報導(dǎo)，東芝發(fā)布本財年第二季(7~9月)財報，營收年增2.4%至1.24萬億日圓，營益飆升76%至1,351億日圓(12億美元)，高于路透訪調(diào)估計的1,245日圓。不過該季仍呈現(xiàn)虧損，凈損1,001億日圓。　　東芝營益大增，主因存儲器表現(xiàn)強(qiáng)勁，不過東芝已經(jīng)同意出售半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團(tuán)，代價
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東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁

　　11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁業(yè)績的驅(qū)動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。　　這個業(yè)績好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲商機(jī)

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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芯片加密后究竟能不能再次使用？

　　隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來越多了，隨之而來的芯片安全性的要求也越來越高了，各個芯片廠商對芯片保密性要求越來越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶打電話過來問，這個芯片加密了還能不能用啊。本文通過對芯片的加密的介紹來看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果。　　一、Flash類型芯片的加密　　Flash類芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫”以及“擦除”操作，通過
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲商機(jī)

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場預(yù)測提升至22％

　　據(jù)IC Insights預(yù)測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。　　此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預(yù)測。總體而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計增長達(dá)20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個百分點。　　2017年，IC Insights預(yù)測DRAM的平均售價將大漲77%，預(yù)計今年將推動DRAM
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CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧

CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線路PAD 間距不滿足制程能力時；當(dāng)資料有大面積銅箔覆蓋，線路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內(nèi)，且外型尺寸又較大時...可借鑒本文的處理方法
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]