- 多日后，當李工在領導面前拍著桌子指責我的時候，我才知道，原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
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數據存儲 EEPROM Flash
- 當前，我們正在經歷第四次工業革命的歷史進程，在這里催生了很多新技術和新市場，比如物聯網、人工智能、新能源、3D打印、納米技術等等。這么多新的技術和產品相互激勵、互相融合，共同推動半導體行業不斷發展，從而改變人類的生活方式。
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物聯網 Entegris 3D NAND
- Admin 固態硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降，預計今年PCIe連接驅動器的銷售量將與SATA固態硬盤達到同等水平。 據報道，固態硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業和數據中心用例定制新的解決方案，而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率，以包含在PC中。 根據該報告，最引人注目的是，512 GB固態硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態硬盤相匹配，預計到2019年剩余時間內固態硬盤的價格將從512
GB降
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NAND SSD
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND
Flash產品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供應商
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NAND UFS SSD
- 根據外媒的報道，東芝及其戰略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。 據介紹，芯片將實現TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數據密度為512
Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現商業化生產。 據報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB /
s。據報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
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東芝 西數 NAND
- 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金，因此，我國廠商的數字分攤到每年，還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術、管理略遜的中國企業可能必須經歷幾年內虧損，但若想實現存儲器的國產替代，這種投入十分必要。
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NAND 存儲器
- 據businesskorea報道，中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。 然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴。 韓國企業對該計劃持謹慎態度，主要有兩個原因。 首先，中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業的影響。
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NAND DRAM
- ICInsights最新報告顯示，大陸的集成電路生產仍遠低于政府的目標。報告指出，2018年大陸半導體市場為......
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半導體 晶圓 NAND
- 盡管隨著主要存儲器業者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃，2019年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續高于各業者在DRAM與晶圓代工業務上的支出。 ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業務資本支出金額的219億美元。
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DRAM 晶圓 Flash
- 美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認購期權，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies,
LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權的意向。 “收購 IM Flash 將使美光加速研發進程，并優化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra
說。“猶他州的工廠將幫助我們提升生產制造柔性，配備高技術型人才隊伍，以推動 3D Xpo
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美光，Flash
- 根據韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產業從2018年年底迎來低迷，存儲器產品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產量以來，雖然三星仍然穩坐半導體產業頭把交椅，但是其盈利能力已經受到質疑。 無獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?
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存儲器，NAND
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND
Flash市場經歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現仍難見起色，預計產能過剩難解。在此情況下，供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。 DRAMeXchange調查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND
Flash總體資本支出下調近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
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NAND 東芝
- 存儲器一直被看成是半導體行業的晴雨表，它的表現也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至 2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
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存儲器 NAND
- 閃存是當今數據存儲的重要介質之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關鍵。不過，因為中國企業中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經過了近十年的研發積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構，但和英特爾最早發明的NOR完全不是一回事
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NOR NAND 存儲器
- 半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發生太大的變化，但是這種格局正在發生變化。不僅Lam
Research、ASML和東京電子的位次發生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危。 自1990年以來，應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄。 2016年，應用材料公司的市場份額比Lam
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ASML NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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