據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC，XL-Flash將為數據中心和企業存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預計將于下月送樣檢測，或將于2020年量產。
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東芝 存儲器 XL-Flash
網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
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3D NAND
Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產業下游模組廠出現提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發使得業界盛傳存儲器價格將反轉，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經連續三個季度快速下滑，下游
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日韓貿易戰 東芝 DRAM/NAND
SK海力士于26日宣布，將量產全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開始銷售。
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SK海力士 4D NAND 128層
日本三重縣四日市日前發生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當地營運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
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?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
NAND閃存價格已經連跌了6個季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產能。在群聯臺北電腦展上，群聯公司董事長潘建成也預測NAND閃存價格已經跌破了成本，未來跌幅會收窄，需求則會升溫。
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NAND 減產
市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團的銷售管道，采取自產自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰儼然成形。
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紫光集團 長江存儲 3D NAND
多日后，當李工在領導面前拍著桌子指責我的時候，我才知道，原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
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數據存儲 EEPROM Flash
當前，我們正在經歷第四次工業革命的歷史進程，在這里催生了很多新技術和新市場，比如物聯網、人工智能、新能源、3D打印、納米技術等等。這么多新的技術和產品相互激勵、互相融合，共同推動半導體行業不斷發展，從而改變人類的生活方式。
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物聯網 Entegris 3D NAND
Admin 固態硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降，預計今年PCIe連接驅動器的銷售量將與SATA固態硬盤達到同等水平。 據報道，固態硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業和數據中心用例定制新的解決方案，而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率，以包含在PC中。 根據該報告，最引人注目的是，512 GB固態硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態硬盤相匹配，預計到2019年剩余時間內固態硬盤的價格將從512
GB降
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NAND SSD
Mar. 20, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND
Flash產品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供應商
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NAND UFS SSD
根據外媒的報道，東芝及其戰略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。 據介紹，芯片將實現TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數據密度為512
Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現商業化生產。 據報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB /
s。據報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
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東芝 西數 NAND
事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金，因此，我國廠商的數字分攤到每年，還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術、管理略遜的中國企業可能必須經歷幾年內虧損，但若想實現存儲器的國產替代，這種投入十分必要。
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NAND 存儲器
據businesskorea報道，中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。 然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴。 韓國企業對該計劃持謹慎態度，主要有兩個原因。 首先，中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業的影響。
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NAND DRAM
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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