據韓媒報道，根據SK海力士向韓國金融監管機構FSS披露的文件，該企業已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業務案的第二階段，交易正式完成。據了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及大連工廠的員工在內的其余相關有形/無形資產。
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AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠如群聯、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據調研機構預測，2025年QLC NAND產能將達250.48億Gb，占NAND總產能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數據，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
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存儲市場新一輪的逆風，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商，集體漲價近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發出漲價函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產品將全面漲價，整體漲幅超 10%，此次調價覆蓋所有渠道及消費類產品。閃迪還透露，將持續審查定價，后續季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計劃將于 4 月漲價。從供應方面，美光今年新加坡 NAND 廠發生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯也透露，
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NAND Flash價格由谷底翻漲正蓄勢待發，繼SanDisk日前發函通知4月1日將調漲報價，近期市場傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠均將從4月起提高報價。由于二大韓廠減產措施發酵，美光日前新加坡NAND廠發生跳電，導致NAND供貨轉趨吃緊，長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調漲代理價格，漲幅可望將超過10%，全球各大原廠不約而同推動漲價，NAND價格回漲速度優于原先預期。存儲器業界觀察，近期整體終端市場的需求并
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SK海力士將于2025年3月（協議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業級固態硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭。· 2020年10月，SK海力士與英特爾達成協議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強調，供應商根據市場狀況自然調節供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
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當地時間2月24日，NAND Flash廠商西部數據（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業務的分拆計劃。圖片來源：西部數據據悉，分拆后的閃存業務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，由原西部數據CEO David Goeckeler轉任閃迪CEO，而西部數據則將再次專注于機械硬盤HDD業務，由現任全球運營執行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數據以190億美元的高價收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨立業務部門。不過在2022年，存
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據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產的下一代NAND，該產品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
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自鎧俠官網獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCS FLASH? generation 8）實現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
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DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術的創新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯合研發的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數據完整性、系統耐用性和運行效率等方面更進一步。現代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統和先進的互連航空電子技術等應用
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據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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據媒體報道，近日，研究人員發現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發現的帶電粒子是創建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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全球NAND閃存價格已連續四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
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