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        nand 閃存 文章 最新資訊

        NAND Flash廠商2025年重啟減產策略,以緩解供需失衡和穩定價格

        • 根據TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出,NAND Flash產業2025年持續面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產,Kioxia/ SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也啟動相關計劃,可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示,NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的,背后受以下因素驅動:第一,需求疲軟
        • 關鍵字: NAND Flash  減產  TrendForce  集邦咨詢  

        應對降價:三星大幅減產西安工廠NAND閃存!

        • 1月13日消息,據媒體報道,三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產,以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌,確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示,截至2024年10月底,用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%,每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外,三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應,導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施,當時
        • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  存儲卡  U盤  晶圓  SK海力士  鎧俠  西部數據  美光  長江存儲  

        SK 海力士新設 AI 芯片開發和量產部門,任命首席開發官及首席生產官

        • 12 月 5 日消息,據 Businesses Korea 今日報道,SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率,該公司推行“C-Level”管理體系,依據核心職能分工明確責任與權限,業務單元被劃分為包括 AI 基礎設施(CMO)、未來技術研究院(CTO)、研發(CDO)和生產(CPO)在內的五大部門。據介紹,新設的 AI 芯片開發部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發能力,著眼于下一代 AI 內存等
        • 關鍵字: SK海力士  內存  NAND  

        3Q24 NAND Flash營收季增4.8%,企業級SSD需求強勁,消費性訂單未復蘇

        • 根據TrendForce集邦咨詢最新調查,2024年第三季NAND Flash產業出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(ASP)上漲7%,帶動產業整體營收達176億美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示,不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現分化,企業級SSD需求強勁,推升價格季增近15%,消費級SSD價格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略,訂單大量減少,第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響,合約價反
        • 關鍵字: NAND Flash  企業級SSD  TrendForce  集邦咨詢  

        三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

        • 據韓媒報道,稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破,在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠(PR)用量,降幅達到此前用量的一半。報道稱,此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠,而三星通過精確控制涂布機的轉速(rpm)以及優化PR涂層后的蝕刻工藝,現在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻膠,通常情況下一次工藝形成1層涂層,而使用更厚的光刻膠,三星可以一次形成多個層,從而提高工藝效率,但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商,為三星第7代(11微米)和第
        • 關鍵字: 三星  光刻膠  3D NAND  

        三星將出售西安芯片廠舊設備及產線

        • 據韓媒報道,三星近期將開始銷售前端和后端生產線的舊設備,其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱,三星近期正在半導體部門(DS)實施大規模成本削減和產線調整,并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。預計出售程序將于明年正式開始,銷售的設備大部分是100級3D NAND設備。自去年以來,三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。
        • 關鍵字: 三星  西安  NAND  

        消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 結構

        •  10 月 29 日消息,《韓國經濟日報》當地時間昨日表示,根據其掌握的最新三星半導體存儲路線圖,三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過 400,而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm(12 納米級)DRAM。報道表示三星第 10 代(即下代) V-NAND 將被命名為 BV(Bonding Vertical) NAND,這是因為這代產品將調
        • 關鍵字: 三星  存儲   V-NAND   

        TrendForce:預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

        • IT之家?10 月 15 日消息,根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查,NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響,wafer 合約價于第三季率先下跌,預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到,模組產品部分,除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐,有望于第四季小漲 0% 至 5%;PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期,采購策略更加保守。TrendForce 預估,第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現季減 3% 至
        • 關鍵字: NAND 閃存  存儲  市場分析  

        三星電子開發出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

        • 三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性,成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991,能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作,為這些企業提
        • 關鍵字: 三星電子  V-NAND  車載SSD  

        三星首款!第八代V-NAND車載SSD發布:讀取4400MB/s

        • 9月24日消息,今日,三星電子宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991,AM9C1能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示,AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準,在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹,AM9C1采用三星5nm主控,用戶可將TLC狀態切換至SLC模式,以此大幅提升讀寫速度。其中,讀取速度高達4700MB/s,寫入速度高達1
        • 關鍵字: 三星電子  NAND  PCIe 4.0  車載SSD  

        2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%

        • 根據TrendForce集邦咨詢最新調查,由于Server(服務器)終端庫存調整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價格持續上漲,但因為PC和智能手機廠商庫存偏高,導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態,并計劃在第三季擴大產能,以滿足AI和服務器的強勁需求,但由于PC和智能手機今年上半年市場表現不佳,
        • 關鍵字: TrendForce  集邦咨詢  NAND Flash  AI SSD  

        TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環比增長 14%

        • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出,由于服務器終端庫存調整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高,導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達 167.96 億美元(IT之家備注:當前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應客戶對
        • 關鍵字: 內存  NAND Flash  

        第八代BiCS FLASH厲害在哪里?

        • 第八代BiCS FLASH已然投入量產,意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創新架構,實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
        • 關鍵字: BiCS FLASH  閃存  flash  鎧俠  

        閃存大廠鎧俠IPO又進一步

        • 近日,媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進行IPO。鎧俠預計籌資規模將達到5億美元,如若IPO順利進行,那么其有望成為2024年日本最大規模的IPO。知情人士透露,鎧俠可能在接下來的幾周內啟動其IPO流程,至于IPO的具體細節仍在討論之中,可能會根據市場環境的變化而有所調整。該公司的估值預計將超過1.5萬億日元(合103億美元)。資料顯示,鎧俠于2018年6月從日本東芝集團獨立出來,2020年鎧俠獲準在東京證券交易所上市,不過后來該公司以市場前景不明朗為由推遲上市。
        • 關鍵字: 閃存  鎧俠  IPO  

        消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資,目標明年 6 月投運

        • IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃,該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心,分為四期。在早前規劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備,但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝,各家的 1c nm(或對應的 1γ nm)產品目前均尚未正式
        • 關鍵字: NAND  閃存  三星電子  
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        nand 閃存介紹

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