IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
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存儲 DRAM NAND Flash
據TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND
Flash市場需求仍低迷，供過于求態勢延續，使NAND
Flash第二季平均銷售單價（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環比增長達19.9%，合計第二季NAND
Flash產業營收環比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產行列，且預期第三季將擴大減產幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND
Flash產業供應商家數多，在庫存仍高的情
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NAND Flash TrendForce
近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND
Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND
Flash供應商虧損持續擴大，銷售價格皆已接近生產成本，供應商為了維持營運而選擇擴大減產，以期帶動價
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NAND Flash Wafer TrendForce
邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數或任何布爾或其他邏輯表達式。基本邏輯門的真值表：了解每個邏輯門的功能對熟悉轉換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子，一個用于輸入，另一個用于輸出。門的輸入是二進制數，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然。可能出現的級數由 2a 計
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NAND 邏輯門
在本教程中，我們將討論數字電子學中的基本電路之一--SR 觸發器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發生器和校驗器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態，而不取決于輸入或輸出的過去狀態。除了少量的傳播延遲外，當輸入發生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
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NAND NOR門 SR觸發器
據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
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三星 NAND 閃存
這兩年，DRAM內存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價格持續處于地位，內存、SSD硬盤產品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結束了。根據集邦咨詢最新研究報告，預計在2024年，內存、閃存原廠仍然會延續減產策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務器需求相對疲弱。由于內存、閃存市場在2023年已經處于低谷，價格也來到相對低點，因此 預計在2024年，內存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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內存 閃存
近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數據，會覆蓋上次存儲的數據，無法進行數據的連續存儲。針對該問題，本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態機圖，并進行了驗證。
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202308 NAND Flash FPGA 分區 起始地址
IT之家 8 月 18 日消息，據 DigiTimes 報道，三星電子計劃明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過 300 層。報道稱，這將使三星的進度超過 SK 海力士 —— 后者計劃 2025 年上半年量產三層堆棧架構的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構，生產第 7 代 V-NAND 閃存芯片。▲ 圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構指在 300mm 晶圓上生產一個 3D NAND 堆棧，然后在第一個堆棧的基礎上建立另一個堆棧。
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三星 閃存
IT之家 8 月 16 日消息，據韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備。業內人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產線部分設備的生產，該生產區主要負責生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續低迷，業界猜測三星的 NAND Flash 產量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發布的 2023 年第一季度財報中也正式
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三星電子 V-NAND
在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當有人試圖提起你的行李時，它就會發出警報，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
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NAND 邏輯門
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