分立器件的創新這樣體現在性能、效率、成本和交貨的完美契合

　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽世界。其實，東芝的分立器件也在市場上占有重要位置，其光耦保持著世界第一的份額，此外，功率器件、小信號器件、白光LED等產品也以高品質、高性價比在業內著稱。

　　“分立器件的技術創新體現在提高產品性能和效率的同時，追求成本的控制。”東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經理田中基仁指出。“因此，東芝力圖開發高附加值的產品，包括更高效率所要求的功率器件和白光LED。通過持續開發更高性價比的新產品以及改善生產效率來對應。”

　　白光LED：硅基8英寸晶圓

　　東芝2012年才投產白光LED，但上升很快。原因是其工藝高起點：在200mm/8英寸硅基板上生長氮化鎵(GaN)，而目前業界主流還是用2英寸或4英寸晶圓的藍寶石基板。可見東芝采用的晶圓尺寸更大，這樣在單個晶圓上可切割出更多的LED芯片，從而降低單位成本;另一方面，硅材料也比藍寶石便宜。因此，東芝估計這種硅基氮化鎵產品比市場上藍寶石基板的LED芯片便宜30%左右。同時，該公司還在開發0.2W LED的CSP(芯片尺寸封裝)的產品，尺寸只有0.65×0.65mm，比目前市場上的主流產品面積減少96%。

　　白光LED的市場潛力巨大，預計2015年全球會有1萬億日元左右的市場規模，其中會有一大部分需求來自中國市場。品牌名稱為LETERAS的東芝LED主要用于普通照明、背光和車載照明，產品分為大功率--1W，中功率--0.6W，低功率--0.2W。流行的6450/3535型產品中，145 lm/W產品已經量產，今年九或十月量產170 lm/W產品(如圖1)。

　　功率器件：匯聚尖端技術和材料

　　功率器件方面，東芝主要有三大產品線：MOS管;大功率開關器件;碳化硅(SiC)和GaN功率器件。

　　MOSFET分為高壓(HV-MOS)和低壓(LV-MOS)，HV-MOS目前最先進的是平面MOS第八代和超結MOS第四代、第五代產品。東芝超結MOS第四代產品絕大部分已經推向市場。LV- MOS里，東芝主要做溝槽MOS，目前90%的產品已經量產，主要應用于家電、汽車、工業等。

　　東芝超結MOS管的優勢是：競爭對手一般使用多次外延工藝——Multi Epi，東芝是一次外延成型的Single Epi。即競爭對手是在硅基板上多次成長，生產的周期較長。而東芝是一次外延成型，可以大幅降低成本。