FET知識：采用結型FET實現的放大電路經典案例

　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系，就需要偏置電路來提供柵極電壓。

　　與晶體管放大電路的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式。

　　最一般的源極接地電路和自偏置電路

　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。

　　FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為反向偏置電壓，因此其偏置電路的構造有些不同。

　　與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構成的FET“自偏置電路”，由于其穩定程度良好，在實際電路中得到了普遍應用。

　　自偏置電路源極電阻對電路的穩定作用

　　與柵極和源極間電壓VGS相對應的漏極電流ID(A)，流過源極電阻RS(Ω)。VGS為負極性的偏置電壓。

　　此時，如果我們把VGS的絕對值變得很小，漏極電流ID就會增大。這樣一來，源極電壓VS(V)就會升高，從而使得VCS的絕對值增大，同時ID也會減小，電路的狀態向穩定的方向變化。

　　源極接地電路要實現放大功能，需要給源極電阻并聯電容

　　實現交流信號放大時，需要忽略源極電阻RS的影響。與源極電阻RS并聯的電容CS(F)，使得交流信號變化對源極電壓VS沒有影響，源極電壓VS保持不變。對于交流信號來說，源極是通過電容CS接地的，因此也稱為源極接地電路。該電路對交流信號的電壓放大倍數A為

　　A=gm*RD

　　式中，RD(Ω)為漏極電阻。由于結型FET的gm很小(在1~10mS之間)，很難實現電壓放大倍數很大的單級放大電路。

　　漏極接地電路的偏置電路和放大倍數

　　漏極接地電路(源極跟隨器)與晶體管的共集放大電路(射極跟隨器)相同。漏極接地電路中，漏極與電源VPS相連接(關于n溝道FET)，通過電源接地，所以可以被看作為“漏極接地”電路。

　　信號的放大倍數A為A≈1，實際的放大倍數要比1略小一些。

　　柵極接地電路的偏置電路和放大倍數  

　　柵極接地電路和晶體管基極接地電路一樣。偏置電路和其他的結型FET的接地電路一樣。

　　結型FET的柵極和源極間為反向偏置電壓，源極通過電阻RS接地，柵極直接與地電位相連。

　　柵極接地電路，輸入、輸出信號的極性相反。信號的電壓放大倍數A為

　　A=gm*RD