- 在海外并購道路障礙重重的情況下，我們通過培養積蓄人才來為中國創“芯”積攢力量，向2020年實現芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進，是更為有效地打破“缺芯”現狀實現自主替代的路徑。
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芯片 DRAM
- 根據市場研究調查機構 IC Insights 的預估，2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中，在DRAM將成長更將達 55%，將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產品。
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IC Insights 表示，DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%，也都是當年成長最大的 IC 產品領域。 統計過去 5 年，DRAM 市場經常是成長最大，或者衰退最大的 IC 產品項目，顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過，DRAM 市
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DRAM IC
- 在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產6萬片12吋內存晶圓、年產值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產線一期項目開工儀式。
據資料顯示，晉華存儲器集成電路生產項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規劃面積594畝，預計于2018年9月達產。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產力布局規劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專項建設基金支持。
此項目堪稱晉江所有重
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晉華存儲 DRAM
- ,世界半導體貿易統計組織(WSTS)將半導體分為33個大類。近日，市場調研機構IC Insights給出了這33類產品在2017年市場狀況的預期。
33種IC產品2017年增速排名(預計)如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價格異常出色，IC Insights預計2017年DRAM總銷售額同比增長55%，從而成為半導體細分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領整個產業增長。在過去5年，DRAM要么是增長率
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半導體 DRAM
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關電子委托制造廠，計劃調漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。
存儲器業者強調，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務器用DRAM需求強勁，加上網通類產品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構，帶動DRAM需求增加，但供給端因DRAM產業制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下，
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三星 DRAM
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續供貨短缺，創下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存，更寫下史上最長漲勢。
內存業界表示，2008及2015年都出現過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產能會排擠，很少看到兩大內存同漲。
這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價格上漲，主要來自數據中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
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三星 DRAM
- 近年來，隨著移動通信、物聯網、智能制造等領域的快速發展，存儲器產品的應用市場也隨之逐步開拓，市場需求越來越大。
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存儲器 DRAM
- 內存、固態盤這一年來不斷漲價，但究竟上漲到了什么程度呢?統計數據那是相當的嚇人。
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內存 DRAM
- 隨著DRAM與NAND Flash市場規模大幅成長，調研機構IC Insights預估，2017年全球整體IC市場規模將較2016年大幅成長16%，創下自2010年增33%以來，最佳年增紀錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規模年增幅度達到雙位數百分比。
2017年全球DRAM市場規模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
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IC DRAM
- 過去兩年來，隨著人工智能、物聯網、大數據等應用的火熱發展，全球半導體產業迎來了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。
通盤來看，全球前十大半導體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。
國外對于中國半導體發展采取的措施
眾所周知，半導體行業的技術主要是來自于美日韓半導體廠商的，他們在半導體行業發展已有數十載，技術成熟，專利頗多，而對于中國近年內半導體行業的飛速發展他們也采取了各種防堵措施，
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半導體 DRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續上揚約4.6%，預估下半年價格將會維持小幅上漲態勢。
旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態勢
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，時序進入下半年，DRAM產業供需也進入傳統旺季，原本就呈現吃緊的DRAM市場更
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DRAM
- RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別。 SRAM：靜態隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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DRAM NAND
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經連續四個季度上漲。
不過因為原廠紛紛提出擴產計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，大陸還有新建廠商也會加入戰場，3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。
近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
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DRAM NAND
- 盛極而衰是自然規律，商業領域也是這樣。
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DRAM 東芝
- 自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
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DRAM Flash
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