內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性。
根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。 不
關鍵字：
內存 DRAM
2016年全球前十大半導體業者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數據顯示，2016年全球半導體產業的營收成長2%，而前十大半導體業者的營收則成長2.3%，優于產業平均水平。以個別產品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規模也比2015年成長9.7%。
IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內存市場的營收規模可望再創新高，車用半導體市場的規模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產業的表現將出現穩健成長。
關鍵字：
DRAM NANDFlash
量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。
現在，微軟也要在量子計算領域發揮能量了。
半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作，雙方將研發一種能夠在零下180攝氏度環境下穩定運行的DRAM系統，為未來的量子計算機服務。
Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環境下提升DRAM系統的容量和運算效率，并且降低功耗。
同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環境中有效運行，從而確保整個存儲系統
關鍵字：
微軟 DRAM
力晶創辦人暨執行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發費用來扶植新廠的策略很難再延續，必須要有技術在手才行，但現在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢!
黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
關鍵字：
DRAM 5G
力晶創辦人暨執行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發費用來扶植新廠的策略很難再延續，必須要有技術在手才行，但現在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢!
黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
關鍵字：
DRAM 5G
三星電子為了鞏固存儲器霸業，制定 DRAM 發展藍圖，擘劃制程微縮進度。業界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業者追上。
韓媒 etnews 18 日報導，業界消息稱，三星去年開始量產 18 納米 DRAM，目前正研發 17 納米 DRAM，預定今年底完成開發、明年量產。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發小組，目標最快 2020 年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020 年量產時間可能延后。
三星從 20 納米制程(28→25&rar
關鍵字：
三星 DRAM
三星電子為了鞏固存儲器霸業，制定DRAM發展藍圖，擘劃制程微縮進度。業界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業者追上。
韓媒etnews 18日報導，業界消息稱，三星去年開始量產18納米DRAM，目前正研發17納米DRAM，預定今年底完成開發、明年量產。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發小組，目標最快2020年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020年量產時間可能延后。
三星從20納米制程(28→25→20)，轉進10納米制程(18&rarr
關鍵字：
三星 DRAM
目前說中國存儲器業的”春天”已經到來可能還為時尚早，確切地說，應該是中國的半導體業一定要跨入全球存儲器的行列之中。
關鍵字：
3DNAND DRAM
第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。
調研機構IC Insights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續維持第
關鍵字：
DDR4 DRAM
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
關鍵字：
DRAM NAND
IC Insights 對DRAM后市提出示警，預期下半年隨著供給增加，產品價格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。
IC Insighta 指出，DRAM 價格自 2016 年中以來快速走高，據統計，DRAM 平均售價已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。
在產品價格大漲帶動下，IC Insights 預估，今年 DRAM 產值可望達 573 億美元規模，將較去年成長達 39%。
IC Insight
關鍵字：
DRAM
臺灣DRAM教父高啟全轉戰大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規劃;他指出，已齊聚500名研發人員在武漢投入3D NAND開發，也考慮研發20/18納米DRAM，會在技術開發具競爭力后才開始投產，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利!
長江存儲計劃存儲器的研發，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現階段長江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產業投資基金和
關鍵字：
長江存儲 DRAM
美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術遭到泄露，間接給大陸廠商和相關員工施壓，其行為也是國際大廠圍堵中國半導體產業崛起的縮影之一
關鍵字：
晉華 DRAM
近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區采取司法手段其防止技術遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關鍵制程和研發人員，目前已有上百人遭到約談。 市場更是傳出，美光這一行動已經波及聯電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯電臺灣南科廠設置的試產線停產。 不過，4月5日，聯電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關。此外，聯電還表示，目前DRAM仍處制程技術開發階段，尚無試產線，并無外傳試產線暫停的情況，其DRAM技術的研發計劃也將持續不變。 根據集邦咨詢觀察，近年來，中國
關鍵字：
美光 DRAM
DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長預估調升兩倍。
IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。
IC Insights 現在預期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。
IC Insights 指出
關鍵字：
存儲器 DRAM
mobile dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條mobile dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473