2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

　　隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機構(gòu)IC Insights預(yù)估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。

　　2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與NAND Flash儲存容量單元出貨量成長的推動。

　　如果將DRAM與NAND Flash產(chǎn)品略去不計的話，預(yù)估2017年全球IC市場規(guī)模年增幅度將僅為6%。

　　隨著DRAM ASP大幅成長，預(yù)計2017年全球DRAM市場規(guī)模將達642億美元，高于配備在標(biāo)準PC和服務(wù)器中的微處理器(MPU)市場規(guī)模，成為規(guī)模最大的單一IC產(chǎn)品類別。

　　預(yù)計2017年全球微處理器市場規(guī)模為471億美元，為僅次于DRAM的第二大IC產(chǎn)品類別。

　　資料顯示，近年DRAM市場對整體IC市場規(guī)模的成長具有顯著影響。如2013與2014年全球DRAM市場規(guī)模分別年增32%與34%，各當(dāng)年整體IC市場規(guī)模也分別年增5%與7%。

　　如果將DRAM規(guī)模略去不計的話，2013與2014年全球IC市場規(guī)模將僅分別年增2%與3%。這意味，2013與2014年DRAM市場，分別了推升各當(dāng)年整體IC市場規(guī)模的3個與4個百分點。

　　除了存儲器，全球生產(chǎn)毛額(GDP)也與IC市場規(guī)模的成長，具有相當(dāng)?shù)年P(guān)連性。IC Insights最新預(yù)估，2017年大陸與美國地區(qū)GDP分別為6.8%與2.1%，全球GDP則是2.7%。