- 從2016年下半年開始，內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。
據臺灣經濟日報報道，內存大廠金士頓近日表態，今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯公司董事長潘建成也強調，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預計將缺貨一整年。
日前，金士頓董事長陳建華出席群聯竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
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DRAM 閃存
- 在長江存儲，晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產存儲基地開建之際，有很多人曾經質疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設?，F在我通過一個事實告訴你原因?，F在在存儲產業，基本是韓國廠商的天下，而隨著設動設備的火熱，各種設備的爆發，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產品的缺貨問題，進而導致了漲價。
拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，部分分析師預測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士，今年半導體營業利潤可能年增5成，來到史無前例的25兆韓圓。
存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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DRAM
- 長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產業甫因規模經濟不足導致研發無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一，但不是全部。
回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導體業的驅策技術(driving technology)，也就是說DRAM的制程領導其它的半導體制程前進。半導體的先
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DRAM 存儲器
- 市場調查機構TrendForce最新報告預測，服務器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報價可能攀升至少25%。
2017年第一季初，服務器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%，部份高密度產品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻，16GB模組也來到100美元。
TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange發現，服務器DRAM模組報價看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續漲價。除此之外，服務器制造業者因擔心價格持續走揚而提前
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DRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統淡季下仍能維持強勢漲價的季度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，根據現已成交的合約看來，2017年第一季標準型內存價格持續攀高，平均漲幅接近三成，服務器內存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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DRAM
- 在2015、2016連續兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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DRAM NAND
- 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發出的新型內存單元，能夠顯著降低動態隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態的內存單元，無需刷新操作;兼容于現有晶圓廠的制造設備，也無需任何新的材料或工藝?！ ∠噍^于一般的DRAM，VLT內存數組能節約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元，以及驅動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內存數組效率。然而，想要發揮VLT的優勢，就必須在依據產業標準發展的成熟DR
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DRAM
- 大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。
半導體設備業透露，紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產業從零突破的開端，也創下由國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作的新合作模式。
由紫光集團聯合國家集成電路產業基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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紫光 DRAM
- 根據ICInsights報道，在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于
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DRAM 存儲器
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲
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DRAM SK海力士
- 在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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存儲器 DRAM
- 力晶執行長黃崇仁20日出席臺灣物聯網產業技術協會成立大會時表示，明年存儲器市況不錯，但力晶沒有到大陸生產存儲器的計劃;同時他發表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法，他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會去挖臺積電的墻角。
20日市場傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團，協助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會去挖臺積電的墻角。
由于力晶已經前進大陸合肥在當地蓋12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經蓋好，明年將進
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力晶 DRAM
- 中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。
長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。
大陸發展自主存儲已列入大陸國家發展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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華亞科 DRAM
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產10奈米級DRAM的半導體業者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發，同時著手開發1y奈米，并組成1z奈米研發團隊，持續追求更高的技術競爭力。
據韓媒ET News報導，14日業界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產。其目前已完成客戶樣品生產，正進行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量
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SK海力士 DRAM
- 中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。
長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。
大陸發展自主存儲已列入大陸國家發展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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華亞科 DRAM
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