現階段,由于我國發展半導體行業的時機與全球不同步,并釆用國家資金為主來推動,遭到了西方部分從業者的質疑。再加上近期投資越來越大更是進一步引起了美國、韓國、日本等先進國家的關注。
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半導體 DRAM
多數手機以不同存儲規格來區別高配版、標準版,而不同版本之間的差價可達到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。
半導體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據,且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據,而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、
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美光 DRAM
隨著應用不斷擴大,及系統產品內建容量持續擴增,今年來半導體硅晶圓、磊晶與內存等多項產品市況熱絡,在供應持續吃緊下,各項產品下半年價格依然看漲。
南亞科總經理李培瑛說,第2季DRAM市場狀況穩定,下半年需求將比上半年好,對第3季并不悲觀。 聯合報系數據照
需求增加,供應端產能卻未同步增加,導致半導體硅晶圓、磊晶、動態隨機存取內存(DRAM)、儲存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現罕見同時供應吃緊的情況。
隨著時序逐漸步入傳統旺季,加上短時間新產能
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存儲器 DRAM
多年來,個人計算機(PC)一直是半導體最主要的應用市場,但由于近年來PC市場出貨量成長乏力,相關半導體市場的成長速度也跟著牛步化。 據IC Insights最新報告指出,PC應用將在2017年失去半導體最大應用出海口的寶座。 手機則可望正式超越PC,成為芯片產品最大的應用市場。
整體來說,受惠于DRAM與閃存價格居高不下,不管是PC或智能型手機的半導體市場規模,未來幾年都將呈現成長格局。 但由于PC出貨量連年緩步下滑,短期間內不見轉機,因此手機市場雖然也遇到成長高原期,手機芯片銷售額仍可望拉開與
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半導體 DRAM
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,由于內存供應吃緊態勢尚未改變,今年第一季合約價上揚近四成,第二季合約價更進一步上揚約一成水位;放眼第三季,出貨至一線廠的32GB服務器模組價格將來到260美元大關,二線廠更會高于此價格水位,使得整體第三季價格將會持續季增3%~8%的幅度。
DRAMeXchange分析師劉家豪指出,受到服務器內存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進一步提升到2666MHz,且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注,下半年單機容量上的提升與
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服務器 DRAM
差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計,但大家對CK#(CKN)的作用認識很少,很多人理解為第二個觸發時鐘,其實它的真實作用是起到觸發時鐘校準的作用。
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DDR 差分時鐘 DRAM DDR2
多數手機以不同存儲規格來區別高配版、標準版,而不同版本之間的差價可達到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。
半導體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據,且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據,而NAND Flash市場幾乎全
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美光 DRAM
量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地,IBM、谷歌都涉獵其中。
現在,微軟也要在量子計算領域發揮能量了。
半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作,雙方將研發一種能夠在零下180攝氏度環境下穩定運行的DRAM系統,為未來的量子計算機服務。
Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱,與微軟的合作旨在零下180攝氏度環境下提升DRAM系統的容量和運算效率,并且降低功耗。
同時,高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環境中有效運行,從而確保整個存儲系統在
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微軟 DRAM
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,2017年第一季度的DRAM產業營收表現再度創下新高。從價格方面來看,由于去年第四季嚴重供不應求,多數PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩定,使得第一季合約價再度上漲超過三成,亦帶動其他內存類別同步上揚,如服務器內存在第一季的價格上揚也相當可觀,移動式內存價格也有近一成的漲幅。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出,第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察,原廠產能增加的效應最快在
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DRAM
據外媒報道,存儲芯片市場上周出現降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。
他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續漲,有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。
據巴隆周刊(Barron's)報導,Daniel Kim發布報告說:「所有數據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續漲到今年底。
整體來說,Daniel Kim認為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。
他指出,建構數據中心的廠商「重視的是系統的表現而
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DRAM Flash
全球硅晶圓缺貨嚴重,已成為半導體廠營運成長瓶頸,后續恐將演變成國家級的戰火,半導體業者透露,日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單,優先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠,不僅加重NOR Flash短缺情況,日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠,恐讓大陸半導體發展陷入硅晶圓不足困境。
硅晶圓已成為半導體產業的關鍵物資,過去10年來硅晶圓產能都是處于供過于求狀態,如今硅晶圓卻面臨缺貨,且已缺到影響半導體廠生產線運作,尤其是12吋規
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晶圓 DRAM
隨著挑戰 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現,傳統的 NAND Flash 依然有很長的路要走,直到 2025 年,這個技術都是安然無憂的。 因此,NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
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內存 DRAM
據外電報道,高盛判斷,DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫, 2018年價格也許會轉跌,決定調降內存大廠美光評等。
巴倫周刊8日報導,高盛的Mark Delaney報告表示,過去四個季度以來,DRAM毛利不斷提高。 過往經驗顯示,DRAM榮景通常持續四到九季,此一趨勢代表DRAM多頭循環已經來到中后段。 業界整合使得本次價格高點,比以往更高。
Delaney強調,和DRAM業界人士談話發現,DRAM現貨價的成長動能放緩,價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產業人士表示,NAND價
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三星 DRAM
三星挾帶存儲器產業龍頭優勢,本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產業王座,證明了后PC時代的到來,隨著移動產業、物聯網及智能汽車產業興起,讓原先并未擴產的存儲器產業成為炙手可熱的領域,也使得三星更加壯大。
三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢,半導體制造事業可望躍居產業龍頭,原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增,在制程轉換及產能已數年未擴充等因素作用下,帶動存儲器報價上漲。
從DRAM角度來看,存儲器原廠中,有能力大量產出晶圓的僅有三星、
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英特爾 DRAM
三星上月底發布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內存生產。
三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產品將是64層堆棧的3D NAN
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三星 DRAM
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