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        mlc nand 文章 最新資訊

        英特爾和美光IM 廠合約將盡

        •   英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資,英特爾并未表態(tài)加入,引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系,以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑,預(yù)計(jì)雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)。  
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

        Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

        •   Intel與鎂光公司本周四將對NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布,不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析:“我認(rèn)為他們這次可能會宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項(xiàng)目上的合作。這間工廠目前正計(jì)劃開始投產(chǎn)25nm制 程N(yùn)AND閃存芯片,并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)。”   
        • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  

        海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

        •   2001年海力士(Hynix)受景氣波及,遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整,時隔10年,海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此,海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù),該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時,目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款,并同時確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。 
        • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存芯片  NAND  

        支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

        • 摘要:先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹,然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2.1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì),接口的設(shè)計(jì)等。對設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下,信號的對齊問題進(jìn)行了說明,并提出了一種解決方
        • 關(guān)鍵字: Flash  控制器  設(shè)計(jì)  NAND  模式  ONFI  同步  支持  

        iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營收

        •   市場研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測,較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺,刺激存儲芯片價格上漲。   
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

        溫州人開始炒電子元器件了

        •   《左手猶太人右手溫州人》書里這樣描述溫州人,“天生商人”。日本地震后,溫州人又發(fā)現(xiàn)了商機(jī)。溫州人白先生(化名)說:“現(xiàn)在好多人都在囤電子配件和鋼材等商品,因?yàn)榇蠹叶荚诓聹y過段時間日本的進(jìn)口稅率會下調(diào)。”   
        • 關(guān)鍵字: 電子配件  NAND  

        海力士看好存儲器價格反彈

        •   韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對于臺系DRAM廠而言,可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分,海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存,短期仍可支應(yīng)生產(chǎn),但中長線來看,日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清,目前市場買盤多是邊走邊看,沒有一窩蜂搶貨,但也會擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價問題。   
        • 關(guān)鍵字: Hynix  DRAM  NAND Flash  

        日本強(qiáng)震影響蘋果公司股價

        •   據(jù)經(jīng)濟(jì)之聲報道,蘋果公司這幾天股價連續(xù)大幅下滑,市值損失接近220億美元。周五的股市交易中,蘋果股價再一次小幅下挫。分析人士指出,在很多外在不確定因素的影響下,股價短期震蕩在所難免,日本地震對蘋果股價也有一定的影響。   
        • 關(guān)鍵字: 蘋果  NAND  

        日本地震電子供應(yīng)鏈修復(fù)至少4月以上

        •   針對日本強(qiáng)震對電子供應(yīng)鏈的影響,美銀美林證券全球半導(dǎo)體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示,由于BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單,而兩家占BT樹脂供給量的九成,使得基板供給影響比想象嚴(yán)重,目前預(yù)估這次震災(zāi)對NAND、LCD面板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%,預(yù)期這次電子供應(yīng)鏈修復(fù)期至少4-6個月。 
        • 關(guān)鍵字: NAND  基板  

        VLSI上調(diào)2011年全球IC市場成長率

        •   市場研究機(jī)構(gòu) VLSI Research 最近調(diào)升了對 2011年 IC市場成長率的預(yù)測;該機(jī)構(gòu)先前估計(jì) 2011年全球IC市場將成長8.1%、達(dá)到2,687億美元營收規(guī)模,現(xiàn)在則是認(rèn)為今年度該市場成長率為8.9%,營收規(guī)模2,707億美元。   
        • 關(guān)鍵字: IC  NAND  

        iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍

        •   據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱,隨著消費(fèi)者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。   iSuppli稱,用于制作移動設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費(fèi)量預(yù)計(jì)將達(dá)到23億GB,比2010年消費(fèi)的4768億GB增長382.4%。iSuppli預(yù)計(jì)到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB。 
        • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

        全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競賽3缺1 

        •   存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外,市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)溃Aκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!  
        • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND   

        蘋果再施狙擊式采購

        •   蘋果目前正在跟三星電子洽談購買約78億美元的零組件,內(nèi)容包括屏幕、處理器、NAND閃存等,主要都是要用在 iPad、iPhone等產(chǎn)品上面。一旦該筆訂單確定下來,蘋果將成為三星的最大單一客戶。   
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

        DRAM、NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

        •   市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計(jì)報告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。   
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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        mlc nand介紹

          MLC NAND   目錄   1定義   2MLC芯片特點(diǎn)   3與SLC對比   1定義   MLC 全稱為Multi-Level Cell,多層單元閃存,MLC通過使用大量的電壓等級,每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較高。   一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3,000次 。這一點(diǎn)與SLC得100,000的擦除次數(shù)有不小的差異。   2MLC芯片特點(diǎn)   1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]

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