- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠，以應對智能手機和平板電腦的快速發展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
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東芝 NAND
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發環境下，實現ECC校驗功能。測試結果表明，該程序可實現每256 Byte數據生成3 Byte的ECC校驗數據，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 最近舉辦的Semicon West2011半導體業界大會上，三星與蘋果之間的知識產權爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前，三星正準備于8月份開始量產蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級，使其產能能夠在NAND或邏輯芯片產品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續拓展自己的代工業務。
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三星 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。
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東芝 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。
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NAND 閃存
- 根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
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平板電腦 NAND
- 行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發難，出現供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛戰，DRAM廠12寸廠產能陷入苦尋不到避風港困境。
存儲器業者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產業致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產品是業內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
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Hynix NAND
- 南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性內存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
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海力士 NAND
- 存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動，2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關，NAND Flash市場布局也成功跨足固態硬盤(SSD)市場，面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當下，金士頓創辦人之一的杜紀川表示，認同孫大衛認為臺灣 DRAM產業要集成才有活路的策略，唯有計畫性地將各方力量做結合，才能讓臺灣DRAM廠免受全球經濟、市場波動沖擊。
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NAND DRAM
- 由于蘋果等大型企業的需求不夠強勁，導致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。
今年5月的NAND芯片價格的降幅已經超過15%，現貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家，但需求提升不像往年的第二季度那么強勁。
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ipad NAND
- 第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價大跌超過10%，內存模塊廠表示，合計整個5月現貨報價跌幅達20%，合約價合計跌幅也超過15%，反映終端需求確實需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認同威剛董事長陳立白的基調，預期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發生。
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三星 NAND Flash
- 全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現砍單情況，記憶體零售和系統端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩在水準之上。
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NAND DRAM
- 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術，它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
關鍵詞：DDR NAN
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嵌入式 接口 設計 高性能 閃存 DDR NAND 基于
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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