- 縱觀半導體發展歷史，一種新興技術的出現，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產業的轉型，新技術是變革者趕超傳統技術列強的利器，也是產業升級的動力源，當年的光盤存儲技術興起，就帶動了中國整體光盤機產業，現在，我們又將迎來新一輪的存儲技術變局---以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術會給我們的本土企業帶來了什么機遇?這里結合自己的體會聊做分析。
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泰勝微 存儲 NAND FLASH
- TDK株式會社成功開發出Single Chip固態硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。
該產品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實現了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
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TDK NAND
- 日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續給日本民眾與經濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業方面存在一線希望，即災害對于NAND閃存產業的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產業之一。據IHS公司的資料與分析，在日本發生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態硬盤(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產業繼續增長。
受日本災害影響最大的NAND閃存供應商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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NAND 晶圓
- 日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續給日本民眾與經濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業方面存在一線希望，即災害對于NAND閃存產業的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產業之一。據IHS公司的資料與分析，在日本發生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態硬盤(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產業繼續增長。
受日本災害影響最大的NAND閃存供應商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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東芝 NAND
- 據IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告，由于經濟形勢糟糕和泰國洪災導致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業收入環比下降9%。
2011年第四季度NOR閃存營業收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。
第四季度NOR營業收入下降的主要原因，是10月泰國發生洪災導致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導致PC銷量下降。NOR營業收入減少的其它原因包括：在全球經濟黯
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NOR NAND
- 市場研究機構DIGITIMESResearch專桉經理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔該公司記憶體營收比重降至38%，佔全球NANDFlash營收比重亦續降至34.6%。
反觀海力士，其NANDFlash佔公司營收比重則維持在30%，佔全球NANDFlash營
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三星 NAND
- 利用NAND Flash實現嵌入式系統的遠程更新,引言
嵌入式系統在各個領域有著廣泛的應用，嵌入式系統的維護與升級也變得日益重要。由于新技術的不斷涌現和對系統功能、性能等要求的不斷提高，開發者必須能夠針對系統進行升級和維護，以延長系統的使用周期，
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系統 遠程 更新 嵌入式 實現 NAND Flash 利用
- 1GB 1美元——這很久以來就被視為固態硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規模量產，閃存芯片的成本也會進一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。
隨著Intel Ivy Bridge處
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固態硬盤 NAND
- NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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閃存 設計 映射 存儲器 NAND 適應
- 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現, Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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存儲 管理 TMS320F28x 實現 Flash Nand 磨損 均衡 思想
- 據媒體報道，根據亞洲最大芯片現貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規模達到48.9億美元，環比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。
集邦科技提供的數據顯示，NAND閃存出貨環比增長了大約5%，而平均銷售價格則環比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
集邦科技指出，三星電子
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海力士 NAND
- 外電報導，全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據彭博社調查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查，分析師原先預期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 根據市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 報告指出，蘋果產品在2011 年第四季消耗了容量總數高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
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蘋果 NAND
- 日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協商，且日本政府扮演關鍵要角。內存業者透露，東芝在發展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
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東芝 NAND
- 力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產能維持DRAM的技術發展，并于明年起全數轉入30nm 4Gb生產，而空出的產能將會以NAND FLASH填補，后續技術發展的重點也轉移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術，待3D-IC以及TSV的技術成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區各技術領域最完整之晶圓廠。
隨著力晶正式宣布將產能逐步擴大至Flash產品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產品，希望明年標準
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力晶 NAND
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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