對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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SiC MOSFET IGBT WBG
如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發揮所長，然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。焊接機許多現代化焊接機使用逆變器，而非焊接變壓器，因為直流輸出電流可以提高焊接工藝的控制精度。更多優勢還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機框圖焊接逆變器常用的開關拓撲結構包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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安森美 IGBT
英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進的發射器控制設計結合高速技術，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統（ESS）、電動汽車充電應用以及如工業UPS和焊接等傳統應用。?在分立式封裝
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英飛凌 650V IGBT
1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器，專為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開發。 NCD57000 可在輸入側提供 5
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NCD57000 驅動器 IGBT MOSFET onsemi 馬達控制
新型 IGBT 已開發出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。新型 IGBT 已開發出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。簡介：應用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開關的典型電路可分為：傳統電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉換器如圖 2 所
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IGBT
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。然而有保護功能的驅動芯片，大部分的參數都是固定的，或者是只能靠外圍器件進行粗放的調節。對于退飽和保護來說，內部電流源的電流是固定的，短路消隱時間只能靠調節外接電容大小來調整。對于兩電平關斷功能來說，兩電平持續的時間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來實現。而軟關斷電流及米勒鉗位電流對于某一顆芯片來說也是固定的，無
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英飛凌 IGBT
【2023年8月4日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發射極模塊產品組合。模塊的最大電流規格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業電機驅動和不間斷電源（UPS）的需求而開發。
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英飛凌 IGBT
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅動器圖 2. IGBT的導通電流了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動
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IGBT 柵極 驅動
英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據協議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態，整體積壓訂單金額超過
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英飛凌 賽米控 電動汽車芯片 SiC IGBT
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數據手冊參數解析——上》中，我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態參數。今天我們介紹動態特性、開關特性及其它參數。4.動態特性● 輸入電容，輸出電容和反向傳輸電容Cies，Coes和Cres輸入電容Cies，是Cres同CGE之和，是設計驅動的一個關鍵參數。它在每個開關周期進行充電和放電，它定
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英飛凌 IGBT
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關注。然而，在這些新技術出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。IGBT 器件結構簡而言之，IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS
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安森美 IGBT
根據 IGBT 的產品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電產品；而 IGBT 模塊應用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領域。根據工作環境的電壓不同，IGBT 可以分為低壓（600V 以下）、中壓（600V－1200V）、高壓（1700V－6500V）。一般低壓 IGBT 常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領域；中壓 IGBT 常用
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IGBT
為功率電子設計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩健型175℃標準IGBT。
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IGBT 電源 NXP
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時，會存在一個從雙
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安森美 IGBT 柵極驅動
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。圖1. IGBT 電路圖符號01 IGBT特點IGBT具有柵極、集電極、發射極3個引腳。柵極與MOSF
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